英特尔的 20A 生产节点将是该公司第一个采用 RibbonFET 栅极环绕场效应晶体管 (GAAFET) 和 PowerVia 背面供电的工艺。这些根本性的改进有望带来显著的功率、性能和面积 (PPA) 改进。

英特尔的 Fab 52 和 Fab 62 将于 2024 年上线，耗资约 200 亿美元。这些晶圆厂将有助于英特尔的 IDM 2.0 战略，该战略将找到该公司为其他公司制造芯片的首创。

英特尔正在俄亥俄州建造两座尚未命名的晶圆厂，但它们对英特尔和美国芯片行业的意义不容小觑。多年来，英特尔逐渐扩大了其在亚利桑那州、新墨西哥州和俄勒冈州的大型站点。由于半导体供应链非常复杂，因此扩大现有园区非常有意义。英特尔需要当地合作伙伴（例如原材料供应商、零件等）的支持。

在俄亥俄州，英特尔希望建立另一个大型站点，该站点将容纳多达 8 个半导体制造工商（我们认为也将包括一个先进的封装设施，但英特尔尚未证实这一点）。该站点将需要约 1000 亿美元的投资才能在未来十年内全面建成。此外，新园区将要求英特尔的合作伙伴在当地建立业务，这实质上意味着美国半导体供应链的重大扩张。实际上，在所有在美国新建工厂的芯片制造商中，只有英特尔愿意从零开始建设一个新的巨型站点。

前两个新晶圆厂位于俄亥俄州哥伦布附近，预计将在 2025 年某个时候能在英特尔的 Intel 18A/20A 节点上生产芯片。英特尔的 18A 制造技术旨在成为第一个利用 ASML 的 Twinscan EXE 0.55 High-NA 极紫外 (EUV) 光刻扫描仪的制造工艺。然而，今年早些时候，英特尔表示，通过采用multi-patterning的模式，它可以继续使用当前的 Twinscan NXE 0.33 NA EUV 工具来实现 18A。但即使没有High NA 工具，新技术也有望带来各种功率、性能和面积 (PPA) 优势，因为它将依赖英特尔的第二代 GAA RibbonFET。

英特尔的大型晶圆厂项目最初将耗资超过 200 亿美元，这将成为俄亥俄州历史上最大的经济发展项目。为了将英特尔吸引到俄亥俄州，该州不得不向英特尔提供约 21 亿美元的各种激励措施。此外，英特尔正在向联邦政府申请资金，但目前尚不清楚它将获得多少资金。

事实上，政府资金对于英特尔的俄亥俄州大型站点项目至关重要。Fab 建筑物并不昂贵（但交货时间最长），但半导体生产工具却很昂贵（例如，一台 EUV 光刻机的成本约为 1.6 亿美元）。英特尔可以构建外壳，但它需要及时为它们配备工具以满足其生产计划。为前沿节点配备晶圆厂意味着购买各种光刻机（包括浸没式和 EUV 扫描仪）、涂层、蚀刻、沉积、抗蚀剂去除、检查和其他工具，成本高达数十亿美元。