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 ​启闳半导体科技(江苏)有限公司QiHong Semicon TECHNOLOGY (JIANGSU) CO.,LTD

交流学习
  • 10 2022-09

    集成电路中的硅基器件—全耗尽型SOI(FD- SOI)

    绝缘体上硅(SOI)硅片由顶层硅膜、埋氧层和硅衬底三部分组成。随着集成电路技术的发展,体硅衬底CMOS集成电路面临着诸多挑战,如寄生闩锁效应(Latch-Up Effect)、短沟道效应、泄漏电流增大、阈值电压漂移、寄生电容增大等,SOI集成电路则可减少上述困扰。

  • 09 2022-09

    集成电路中的硅基器件—鳍式场效应晶体管FinFET

    鳍式场效应晶体管(FinFET)是立体多栅器件的一种,其主要特征是由鱼鳍形(Fin)的薄层硅构成折叠的导电通道,并由双面或三面折叠包围的栅极控制,如图6-5所示。较薄的沟道和多栅控制提高了器件的栅控能力,可以保证器件工作于全耗尽状态。

  • 08 2022-09

    集成电路中的硅基器件—MOS场效应晶体管

    金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)是集成电路最重要的基本单元。

  • 07 2022-09

    集成电路中的硅基器件—双极晶体管BJT

    体硅衬底和绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)衬底是硅基集成电路制造业最基本的原材料。关于多晶硅材料制备、硅单晶制备、硅圆片制备、硅圆片外延、绝缘体上硅和硅片材料检测等相关知识。

  • 06 2022-09

    集成电路制造技术的演进—前段、中段、后段工艺

    集成电路制造工艺一般分为前段(Front End of Line, FEOL)和后段(Back End of Line, BEOL)。前段工艺一般是指晶体管等器件的制造过程,主要包括隔离、栅结构、源漏、接触孔等形成工艺。

  • 05 2022-09

    集成电路制造技术的演进—技术路线图

    技术路线图是指集成电路相关行业协会或企业制定的未来一段时间内技术发展预测蓝图,一般分为长期和短期两种路线图。

  • 04 2022-09

    集成电路制造技术的演进—后摩尔定律时代的工艺

    后摩尔定律时代或后摩尔时代是指集成电路产业和技术在摩尔定律“失效”后所面临的新时代,此时集成电路的发展不再严格遵循摩尔定律所预言的规律。

  • 03 2022-09

    集成电路制造技术的演进—摩尔定律和工艺微缩

    工艺微缩是集成电路制造技术发展的最重要的特征之一。集成电路(又称芯片)是将微型化的晶体管、电阻器(简称电阻)、电容器(简称电容)、电感器(简称电感)等元器件,以及器件之间的互连线,通过半导体工艺集成在晶片表面上的具有特定功能的电路,因此集成电路与工艺微缩密不可分。

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