在高k金属栅之外，另一种等效扩充的方法是增加通过器件沟道的电子或空穴的迁移率。表2.5列举了一些提高器件载流子迁移率的手段及其对 PMOS或者 NMOS的作用。

应力技术是提高MOS 晶体管速度的有效途径，它可改善NMOS晶体管电子迁移率和PMOS晶体管空穴迁移率，并可降低MOS 晶体管源/漏的，应变硅可通过如下3种方法获得：①局部应力工艺，通过晶体管周围薄膜和结构之间形成应力；②在器件沟道下方嵌入SiGe层；③对整个晶圆进行处理。

局部应力工艺已经被广泛应用来提升CMOS 器件性能。源漏区嵌入式锗硅技术产生的压应力已经被证明可以有效提高 PMOS 器件的驱动电流。另外，源漏区嵌入式碳硅技术产生的拉应力可以提高 NMOS 器件的驱动电流。应力记忆技术在 NMOS 器件性能提升中得到使用。金属前通孔双极应力刻蚀阻挡层技术也是有效的局部应力工艺，拉应力可以提高 NMOS 的器件性能，而压应力可以提高PMOS的器件性能。

对于 PMOS，众所周知，具有（110）晶面取向的衬底比具有（100）晶面取向的衬底的空穴迁移率性能更高。而对于 NMOS，具有（110）晶面取向的衬底比具有（100）晶面取向的衬底的电子迁移率要差。晶向重排可以通过改变 PMOS 晶体管排版设计（layout）或者是在标准＜100＞晶体表面进行通道方向重新排列完成。

混合取向技术（Hybrid Orientation Technology, HOT）将PMOS 做在（110）晶面衬底，NMOS 做在（100）晶面衬底上，从而在改进PMOS 空穴迁移率的同时，不损害NMOS 的电子迁移率。IBM 公司在2003年IEDM上提出利用晶圆键合和选择性外延技术，得到（110）晶面上的PMOS 和（100）晶面上的NMOS，报告显示将其应用于 90nm CMOS, PMOS 性能可以提高40%。

硅直接键合（Direct Silicon Bonding,DSB） 晶片（一种键合（100）和（110）衬底的大块CMOS 混合型晶片）是公认的推进这一方法的候选方案。IBM 曾将（100）层的面旋转45°并将（110）衬底的DSB 层变薄来获得标准的（100）晶片，成功地将环形振荡器的延迟比传统的DSB 衬底0°（100）晶片—它键合到一个具有两个硅衬底，即（100）和（110）衬底的晶片上——的结果改进了10％，并将这一成果与技术集成到一起。新发展将环形振荡器延迟比标准（100）晶片改进了30%。这一成果可以与能达到更高进展的技术集成到一起。