第三步、生长n型外延层（N-type-Epitaxy,N- EPI）；

外延生长一层轻掺杂的n型外延硅，作为双极型晶体管的集电极。整个双极型晶体管便是制作在这层n型外延层上的。为了减小结电容和提高击穿电压 BVcbo，外延层必须是轻掺杂的。

第四步、形成P阱（P-Type- Well,PW）保护环隔离；

生长一层二氧化硅作为阻挡层，再进行光刻和刻蚀处理，露出需要形成PW保护环的区域，然后淀积P型杂质硼，通过退火使杂质扩散到所需的结深，同时激活硼离子，形成PW保护环。PW保护环的结深要大于n型外延层的厚度，这样可以通过PW保护环隔离形成许多n型外延的孤岛，它们便是通过 pn 结隔离技术进行隔离的。电性上利用反偏的PN 结实现双极型晶体管的电性隔离，因为反偏的pn 漏电流非常小。最后通过湿法刻蚀清除二氧化硅层。

第五步、形成重掺杂 N阱（N-Type-Well, NW）集电极；

生长一层二氧化硅作为阻挡层，再进行光刻和刻蚀处理，露出需要形成集电极的区域，然后通过离子注入n型杂质磷，并退火激活磷离子，形成n型重掺杂NW集电极，目的是减少双极型晶体管集电极的串联的电阻。最后通过湿法刻蚀清除二氧化硅层。

第六步、形成 NPN基区（P-Base）；

生长一层二氧化硅作为阻挡层，再进行光刻和刻蚀处理，露出需要形成基区的区域，然后通过离子注入p型杂质硼，通过退火激活硼离子，形成p型轻掺杂 P-base。为了减小结电容，提高击穿电压BVcbo，提高电流增益，P-Base 与NW 和 NBL 不能重合，P-Base 必须是轻掺杂。最后通过湿法刻蚀清除二氧化硅层。

第七步、形成 NPN 发射极和集电极接触；

生长一层二氧化硅作为阻挡层，再进行光刻和刻蚀处理，露出需要形成发射极和集电极接触的区域，然后通过离子注入n 型杂质砷，通过退火激活砷离子，形成n型重掺杂发射极和集电极接触。最后通过湿法刻蚀清除二氧化硅层。

第八步、形成基极和PW 接触。

生长一层二氧化硅作为阻挡层，再进行光刻和刻蚀处理，露出需要形成基区和 PW接触的区域，然后通过离子注入p型杂质硼，通过退火激活硼离子，形成p型重掺杂基区接触。最后通过湿法刻蚀清除二氧化硅层。

上面的工艺流程是前段器件级的工艺，图3-1所示为双极型工艺制程技术的剖面图。当前段工艺完成以后，在器件上淀积一层二氧化硅绝缘层，目的是把器件和互连的金属隔离，然后进行光刻和刻蚀。形成接触孔，并淀积金属层，接着进行光刻和刻蚀，形成金属互连线。