今日，国产闪存供应商在2022年闪存峰会（FMS）上宣布，公司正式推出了基于晶栈®3.0（Xtacking®3.0）技术的第四代TLC三维闪存X3-9070。据长江存储介绍，与上一代产品，新的X3-9070拥有更高的存储密度，更快的I/O速度，并采用6-plane设计。

首先在性能方面，据介绍，X3-9070实现高达2400MT/s的I/O传输速率，符合ONFI5.0规范，这相较于长江存储上一代产品实现了50%的性能提升；再看密度方面，得益于晶栈®3.0的架构创新，X3-9070成为了长江存储历史上密度最高的闪存颗粒产品，能够在更小的单颗芯片中实现1Tb的存储容量；最后，得益于创新的 6-plane设计，X3-9070相比传统4-plane，性能提升50%以上，同时功耗降低25%，能效比显著提升，可为终端用户带来更具吸引力的总体拥有成本（TCO）。

按照长江存储执行副总裁陈轶所说，X3-9070闪存颗粒是长江存储近年来在三维闪存领域的匠心之作，它拥有出色的性能表现和极高的存储密度，能够快速高效地应用于主流商用场景之中。

“面对蓬勃发展的5G、云计算、物联网、自动驾驶、人工智能等新技术带来的全新需求和挑战，长江存储将始终以晶栈®为基点，不断开发更多高品质闪存产品，协同上下游存储合作伙伴，用晶栈®为存储产业赋能，践行‘成为存储技术的领先者，全球半导体产业的核心价值贡献者’的使命和责任。”陈轶强调。

作为一家成立刚满六年的公司，长江存储的发展绝对称得上“神速”，公司也在这短短几年间，缩短了公司和国际领先巨头的差距，这从长江存储上述的介绍中可见端倪。

有关注半导体行业观察最近文章的读者应该对6-plane设计、ONFI5.0规范和2400MT/s的I/O速度这些数字似曾相识，因为在上个礼拜题为《闪存，正式进入232层时代》的文章里，我们在介绍美光打造的全球首款232层NAND Flash的时候，就讲到美光在其最新产品上采用了相关技术。

也正是在这些技术的支持下，让长江存储的产品获得了不错的性能表现。

先看“6-plane设计”。在上文谈到的“232层闪存”的文章中，我们有简单披露了这个设计给闪存带来的好处。但其实在美光和长江存储跨入这个设计之前，行业的主流是使用“4-plane设计”。

按照anadtech报道，将 NAND 闪存die分为四个平面允许die并行处理更多操作，但不会使其表现得非常像四个独立的die，这样做也使其并行执行的操作存在限制：例如，同时写入仍然必须转到每个平面（plane）内的同一字线。但随着闪存die中平面数量的增加，制造商一直在努力放松其中的一些限制。从几年前开始，制造商已经引入了独立的multi-plane读取，这意味着不同平面中的同时读取对每个平面内正在读取的位置没有任何限制——这是随机读取吞吐量的一大胜利。