anadtech的报道进一步指出，现在，对multi-plane操作的另一个限制正在放宽：不同平面的读取操作的时序不需要排队。这使得一个平面可以从 SLC 页面（ pages）执行多个读取，而另一个平面正在从 TLC 或 QLC 页面执行单个较慢的读取。此功能称为异步独立（多）平面读取（ Asynchronous Independent (Multi-)Plane Read）。

这样做的实际效果是，对于读取操作，一个大型 4 平面die现在可以匹配四个较小的 1 平面die的性能。这减轻了更高的每裸片容量给每个通道只有一个或两个裸片的 SSD 带来的许多性能劣势。

从这个关于plane的介绍中我们可以看到，长江存储这个增加plane的意义。

再看ONFI（Open NAND Flash Interface的缩写）标准。据了解，这是由英特尔，美光，海力士，台湾群联电子，SanDisk， 索尼，飞索半导体为首宣布统一制定的连接NAND闪存和控制芯片的接口标准，当初制定ONFI标准的主要目的是统一当时混乱的闪存标准。ONFI 方面也表示，其存在是致力于通过标准化 NAND 闪存接口来解决主机系统必须适应供应商设备等问题，减少供应商和代际不兼容并加速新 NAND 产品的采用，ONFI 5.0则是该标准的最新版本。

资料显示，ONFI 5.0于 2021 年 5 月发布，能将 NV-DDR3 I/O 速度扩展至 2400MT/s。引入了速度高达 2400MT/s 的新型 NV-LPDDR4 低功耗接口。使用 NV-LPDDR4 接口，则定义了可选的数据总线反转 (DBI) 功能。此外，新标准还添加了新的更小尺寸 BGA-178b、BGA-154b 和 BGA-146b 封装规范。

通过上述介绍以及对比早前DigiTimes“传长江存储将跳过原定192层技术，直接挑战232层NAND”的报道，我们可以初步认为长江存储的新一代闪存是232层的设计。从当前的时间节点看来，长江存储的这次发布仅落后于美光，成为全球第二家跨入200层的闪存企业，缩短了与国际巨头的差距。

虽然取得了进步，但是我们也必须承认，我们和国际领先巨头还存在明显的差距。例如长江存储在介绍中表示，公司可以再单颗芯片中实现1Tb的存储容量。对比美光的描述，他们能够在单颗芯片中实现2Tb的存储容量。此外，按照长江存储的说法，公司目前只是发布了产品，在笔者看来，这大概率是处于送样阶段。但按照美光的说法，他们已经应该量产了，这中间的差距也是显而易见的。