到了Xtacking® 3.0时代，按照长江存储的说法，公司该架构的存储密度又获得了进一步的提升，这也使X3-9070成为了长江存储历史上密度最高的闪存颗粒产品。

存储巨头在过去几十年的推进过程中，都分别都拥有了其独当一面的技术和核心竞争力和层数规划。如下图所示，SK海力士、三星和美光甚至都将3D闪存规划到500层，甚至800层以后，在这种情况下，一个合理的架构，就成为了闪存厂商持续推进层数堆叠的底气。

凭借着后发优势，长江存储的Xtacking® 已经在市场上获得了高度认可。但对于他们来说，未来的发展依然存在很多挑战。

正如IEEE在其报道中所说，除了添加越来越多的层外，NAND 闪存制造商还通过将多个位（bits）封装到单个设备中来提高存储位的密度。例如美光芯片的每个存储单元都能够每个单元存储三位。也就是说，存储在每个单元中的电荷会产生足够明显的效果来辨别八种不同的状态。

IEEE进一步指出，虽然 3 位/单元产品（称为 TLC）占大多数，但也有4 位产品（称为 QLC）。今年早些时候，西部数据研究人员在IEEE 国际固态电路会议上展示的一款 QLC 芯片更是在 162 层芯片中实现了15 Gb/mm²的密度。铠侠工程师上个月在IEEE VLSI技术和电路研讨会上甚至还展示了一个 7 位单元，但它需要将芯片浸入 77 开尔文液氮中。

由此可见，对于长江存储来说，长路漫漫。特别是在当前地缘政治带来的更多不确定性影响下，他们还需要投入更多以进行求索。