在长江存储的闪存技术“武器库”中，晶栈Xtacking® 是他们当之无愧的首要依仗。

据官方资料介绍，在晶栈Xtacking® 架构推出前，市场上的3D NAND主要分为传统并列式架构和CuA（CMOS under Array）架构。而长江存储通过创新布局和缜密验证，经过长达8年在3D IC领域的技术积累和3年的研发验证后，终于将晶圆键合这一关键技术在3D NAND闪存上得以实现。

长江存储表示，晶栈Xtacking® 可实现在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元，这样有利于选择更先进的逻辑工艺，从而让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。当两片晶圆各自完工后，创新的晶栈Xtacking® 技术只需一个处理步骤即可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合，合二为一。值得一提的是，这样的设计却拥有了与同一片晶圆上加工无异的优质可靠性表现，这项技术为未来3D NAND带来更多的技术优势和无限的发展可能。

长江存储进一步指出，在传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积20~30%，但晶栈 Xtacking® 技术创新的将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度，芯片面积可减少约25%。“晶栈Xtacking® 技术充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%。此外，这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了可能。”长江存储方面强调。

按照长江存储的说法，随着层数的不断增高，公司基于晶栈Xtacking® 所研发制造的3D NAND闪存将更具成本和创新优势。而自在长江存储64层产品上首次亮相以来，Xtacking架构迄今已经进行了三代更新。

记得在2018年推出第一代Xtacking®技术产品的时候，当时大多数NAND供应商仅能供应1.0Gbps或更低的速度，但基于Xtacking®技术打造的闪存能有望将NAND的I/O速度提升到3.0Gbps，将其速度提高到主流速度的三倍。

2019年，长江存储又宣布在公司的第三代3D NAND闪存中应用Xtacking® 2.0架构。

据知名分析机构Tech Insights在2021年发布的拆解对比显示，与使用 Xtacking® 1.0（4.42 Gb/mm²、256 Gb）制造的裸片相比，长江存储在Xtacking® 2.0上实现了 92% 的位密度（8.48 Gb/mm²、512 Gb）提升，这表明长江存储对该技术的路线图制定了稳健的未来计划。Tech Insights进一步指出，令人惊讶的是，长江存储凭借其 TLC Xtacking 2.0 NAND 实现了比三星（6.91）、美光（7.76）和 Sk hynix（8.13）更高的密度水平（8.48）