上述实验结果为近年来局限在光激发的氮化镓 VCSEL 的结果，一直到2008年，作者实验室首次在77 K 下成功制作出第一个电激发氮化镓VCSEL，其雷射结构为混合式DBR VCSEL 结构，如图7-8所示。下DBR 为29 对 AlN/GaN DBR，之后成长790nm的n 型氮化镓与 10对的In_0.2Ga_0.8N/GaN 多量子井结构，最后成长120nm 的p型氮化镓，整体共振腔厚度约5λ，其波长设计在460nm，这是为了避免表面透明导电层铟锡氧化物（ITO）对光的吸收。完成磊晶成长与ITO 之后，最后镀上8对的Ta₂O₅/SiO₂上 DBR形成混合式 DBR VCSEL 结构。由于雷射结构中的 AIN/GaN 下 DBR为未掺杂，故为不导电材料，因此必须将元件设计成 intra cavity 结构，使n 型与p 型电极在元件同一侧，雷射发光孔径为 10μm，ITO 厚度设计为1λ使其在波长460 nm 之穿透率高达98.6%。

图 7-9（a） 为29对 AIN/GaN DBR 与8对Ta₂O₅/SiO₂ DBR之反射频谱图，其中平坦的禁止带表示了高品质的AIN/GaN DBR 结构，其最高反射率约为 99.4%且禁止带宽度约为25 nm，而上 DBR 最高反射率约为99%。图7-9（b）为室温下利用 He-Cd雷射激发的光激发频谱，共振腔波长约为 454.3 nm 且Q值可高达2200，再次表示了高品质的晶体结构与上下DBR 的高反射率。

图 7-10 为电激发氮化镓 VCSEL 于77 K 下量测的电流、电压与输出强度关系图，元件的起始电压（turn-on voltage）约为4.1 V，相对高的电压值可能由于微小的电流孔径与intra cavity 结构所致。而电流与发光强度的关系可观察到明显的雷射现象，其雷射阈值电流约为 1.4mA，所对应的电流密度约为1.8 kA/