上述实验结果为近年来局限在光激发的氮化镓 VCSEL 的结果，一直到2008年，作者实验室首次在77 K 下成功制作出第一个电激发氮化镓VCSEL，其雷射结构为混合式DBR VCSEL 结构，如图7-8所示。下DBR 为29 对 AlN/GaN DBR，之后成长790nm的n 型氮化镓与 10对的In0.2Ga0.8N/GaN 多量子井结构，最后成长120nm 的p型氮化镓，整体共振腔厚度约5λ，其波长设计在460nm，这是为了避免表面透明导电层铟锡氧化物（ITO）对光的吸收。完成磊晶成长与ITO 之后，最后镀上8对的Ta2O5/SiO2上 DBR形成混合式 DBR VCSEL 结构。由于雷射结构中的 AIN/GaN 下 DBR为未掺杂，故为不导电材料，因此必须将元件设计成 intra cavity 结构，使n 型与p 型电极在元件同一侧，雷射发光孔径为 10μm，ITO 厚度设计为1λ使其在波长460 nm 之穿透率高达98.6%。
图 7-9（a） 为29对 AIN/GaN DBR 与8对Ta2O5/SiO2 DBR之反射频谱图，其中平坦的禁止带表示了高品质的AIN/GaN DBR 结构，其最高反射率约为 99.4%且禁止带宽度约为25 nm，而上 DBR 最高反射率约为99%。图7-9（b）为室温下利用 He-Cd雷射激发的光激发频谱，共振腔波长约为 454.3 nm 且Q值可高达2200，再次表示了高品质的晶体结构与上下DBR 的高反射率。
图 7-10 为电激发氮化镓 VCSEL 于77 K 下量测的电流、电压与输出强度关系图，元件的起始电压（turn-on voltage）约为4.1 V，相对高的电压值可能由于微小的电流孔径与intra cavity 结构所致。而电流与发光强度的关系可观察到明显的雷射现象，其雷射阈值电流约为 1.4mA，所对应的电流密度约为1.8 kA/cm2。图7-11 为不同注入电流下之雷射频谱图，当注入电流大于阈值电流时，波长在462.8 nm 出现单一的雷射讯号。图7-11中的插图为不同注入电流下的讯号半高宽值，可以发现在阈值电流之后讯号半高宽明显下降，另一张插图显示注入电流为1mA 下之元件孔径强度分布图，图中可以观察到空间上强度分布的不均匀，有可能是铟在空间上的分布不均所导致。
除了上述低温下电激发的氮化镓 VCSEL 之外，在2008年末，Nichia公司发表了室温下连续操作的氮化镓VCSEL，其雷射结构是利用雷射剥离技术制作而成的上下介电质 DBR 结构，主动层是由2对InGaN/GaN 多量子井结构所组成，上下 DBR 分别为7对与 11.5 对的SiO2/Nb2O5 DBR，其中ITO 配合共振腔中的光场分布设计在光学驻波的节点上，而在共振腔厚度方面，他们更利用化学机械研磨技术（chemical-mechanical polishing，CMP）将n 型氮化镓的厚度减薄，使整体共振腔厚度只有约1.1 μm，相当于7倍的光学波长厚度。其雷射的阈值电流约为7 mA，对应的电流密度约为 13.9kA/cm2，起始电压约为4.3 V，当注入电流为12 mA 时对应的雷射功率为0.14mW。观察其不同注入电流下之发光频谱图，当注入电流小于阈值电流时，可以明显看到高阶横向模态的分布，且讯号半高宽约为 0.11 nm，而当注入电流为1.1倍的阈值电流时，雷射讯号波长为414.4 nm 且半高宽变窄为 0.03 nm。他们进一步观察8 μm电流孔径之近场影像，可以发现当注入电流为0.6倍的阈值电流时，发光强度均匀地涵盖整个雷射孔径，而当达到阈值电流之后，一个直径大约2μm的亮点出现在靠近孔径中心的位置，表示雷射光点大小会小于电流孔径。
虽然于2008年研究群成功实现了低温下与室温下氮化镓 VCSEL 的结果，然而氮化镓 VCSEL 目前仍需面临许多挑战，包含电流分布的改善、输出功率的提升、雷射模态的控制以及元件生命期长短等。这些问题都是将蓝光氮化镓 VCSEL 进一步推向商品化之前必须努力的目标。
