cm²。图7-11 为不同注入电流下之雷射频谱图，当注入电流大于阈值电流时，波长在462.8 nm 出现单一的雷射讯号。图7-11中的插图为不同注入电流下的讯号半高宽值，可以发现在阈值电流之后讯号半高宽明显下降，另一张插图显示注入电流为1mA 下之元件孔径强度分布图，图中可以观察到空间上强度分布的不均匀，有可能是铟在空间上的分布不均所导致。

除了上述低温下电激发的氮化镓 VCSEL 之外，在2008年末，Nichia公司发表了室温下连续操作的氮化镓VCSEL，其雷射结构是利用雷射剥离技术制作而成的上下介电质 DBR 结构，主动层是由2对InGaN/GaN 多量子井结构所组成，上下 DBR 分别为7对与 11.5 对的SiO₂/Nb₂O₅ DBR，其中ITO 配合共振腔中的光场分布设计在光学驻波的节点上，而在共振腔厚度方面，他们更利用化学机械研磨技术（chemical-mechanical polishing，CMP）将n 型氮化镓的厚度减薄，使整体共振腔厚度只有约1.1 μm，相当于7倍的光学波长厚度。其雷射的阈值电流约为7 mA，对应的电流密度约为 13.9kA/cm²，起始电压约为4.3 V，当注入电流为12 mA 时对应的雷射功率为0.14mW。观察其不同注入电流下之发光频谱图，当注入电流小于阈值电流时，可以明显看到高阶横向模态的分布，且讯号半高宽约为 0.11 nm，而当注入电流为1.1倍的阈值电流时，雷射讯号波长为414.4 nm 且半高宽变窄为 0.03 nm。他们进一步观察8 μm电流孔径之近场影像，可以发现当注入电流为0.6倍的阈值电流时，发光强度均匀地涵盖整个雷射孔径，而当达到阈值电流之后，一个直径大约2μm的亮点出现在靠近孔径中心的位置，表示雷射光点大小会小于电流孔径。

虽然于2008年研究群成功实现了低温下与室温下氮化镓 VCSEL 的结果，然而氮化镓 VCSEL 目前仍需面临许多挑战，包含电流分布的改善、输出功率的提升、雷射模态的控制以及元件生命期长短等。这些问题都是将蓝光氮化镓 VCSEL 进一步推向商品化之前必须努力的目标。