ESD IMP 工艺技术是在标准CMOS 工艺流程中增加一道ESD IMP 工序，ESD IMP 需要一层额外的掩膜版。ESD NMOS 是利用自身寄生的 BJT NPN开启进行ESD 静电放电，因为寄生BJT NPN 的ESD放电能力很强。对于 ESD PMOS，它的寄生 BJT PNP的性能是比较差，在 ESD保护电路中通常是依靠它的寄生P型二极管正向导通进行 ESD 静电放电，所以并没有特别针对 ESD PMOS的 ESD IMP工艺技术。ESD IMP 工艺技术有两种类型，一种是n型N-ESD IMP，另外一种是P型P-ESD IMP，它们都是只针对 ESD NMOS 的工艺技术。

1. n 型N-ESD IMP工艺技术

n型N-ESD IMP 工艺技术应用于0.35μm 以上技术的5V 器件。n型的 N-ESD IMP 工艺流程是在LDD离子注入后增加一道N-ESD IMP工序，目的是通过离子注入增大 ESD NMOS的LDD结构结深，所以n型 ESD IMP 的ESD NMOS 不再具有LDD 结构尖端放电的特点，从而提高ESD NMOS 的ESD 性能。图3-119所示为n型ESD IMP 的工艺示意图，图3-119a 是完成LDD 离子注入的剖面图，LDD 的结深很小，图3-119b 是进行n型N-ESD IMP，增加LDD 的结深。利用n型N-ESD IMP工艺技术可以在同一CMOS 工艺中设计出两种不同的NMOS，一种是具有LDD 结构的NMOS 是供内部电路使用，另一种不具有LDD 结构的 N-ESD NMOS 是供输入输出电路使用，两种器件结构的对比如图3-120所示。

利用n型N-ESD IMP 工艺技术制造出来的ESD NMOS 拥有较深的LDD 结深，并且它的横向扩散较严重，这导致利用n 型 N-ESD IMP 工艺技术制造的 ESD NMOS 不能用于电压小于5V的短沟道器件。ESD NMOS 的电特性与传统的 NMOS 的电特性是不同的，通常 ESD NMOS 的电流驱动能力是降低的，它的面积比较大、导通等效电阻R_on和寄生的电容也较大，ESD NMOS 是通过牺牲器件的性能来提高器件的 ESD防护能力。晶圆厂通常不会提取 ESD NMOS 的模型参数，否则需要花费额外的成本去提取的这些参数。虽然 ESD NMOS 的电特性变差，但是它的 ESD防护能力很强，输入输出电路都要用 ESD NMOS 进行ESD保护。