SAB 和Salicide 工艺技术一般用在深亚微米及其以下的工艺中，为了更好地理解SAB 和Salicide 工艺技术，下面以65nm形成 ESD 器件和 Non-Salicide 器件为例介绍它们的工程应用。

1）选取已经形成重掺杂源漏有源区的工艺流程为起点。图3-110所示为形成重掺杂源漏有源区的剖面图。

2）淀积SAB。利用 PECVD 淀积一层SiO₂，目的是形成SiO₂把不需要形成金属硅化物（Salicide）的有源区和多晶硅表面覆盖住，防止它们形成 Salicide。图3-111所示为淀积SiO₂的剖面图。

3）SAB光刻处理。通过微影技术将SAB 掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成SAB 的光刻胶图案，非SAB 区域上保留光刻胶。图3-112所示为SAB光刻的剖面图。图3-113所示为SAB显影的剖面图。

4）SAB 刻蚀处理。干法刻蚀和湿法刻蚀结合，把没有被光刻胶覆盖的 SiO₂清除，裸露出需要形成 Salicide 的有源区和多晶硅，为下一步形成Salicide 做准备。图3-114所示为SAB刻蚀的剖面图。

5）去除光刻胶。利用干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。图3-115所示为去除光刻胶的剖面图。

6）清洗自然氧化层。利用化学溶液NH₄OH和 HF清除自然氧化层，因为后面一道工艺是淀积 NiPt，把硅表面的氧化物清除的更干净，使 NiPt 跟衬底硅和多晶硅的清洁表面接触，更易的形成金属硅化物，所以淀积 NiPt 前再过一道酸槽清除自然氧化层。

7）淀积 NiPt 和 TiN。利用 PVD溅射工艺淀积一层厚度约100A的 NiPt 和厚度约250A的TiN,TiN 的作用是防止 NiPt在RTA 阶段流动导致金属硅化物厚度不一，电阻值局部不均匀。图3-116所示为淀积 NiPt 和 TiN 的剖面图。

8）第一步 Salicide RTA-1。在高温约200~300°C的环境下，通入N₂使 NiPt与有源区和多晶硅反应生成高阻的金属硅化物Ni₂PtSi。

9） NiPt 和TiN 选择性刻蚀。利用湿法刻蚀清除 TiN 和没有与硅反应的NiPt，防止它们桥连造成电路短路。图3-117所示为选择性刻蚀的剖面图。

10）第二步 Salicide RTA-2。在高温约400~450°C的环境下，通入N₂把高阻态的 Ni₂PtSi转化为低阻态的NiPtSi₂。