I_pw，电流I_pw流过PW的寄生电阻R_p，从而造成PW的电压V_b升高，当电压V_b=I_pwRp>0.6V时，源极的有源区与PW之间的pn 结正偏，也就是NPN 的发射结正偏，这时 NPN开启导通形成低阻通路，进行 ESD放电，从而保护 LDD 结构，防止尖端放电击毁器件。