在市场和价格的双重影响下，碳化硅衬底厂商自然也就成为了最先赚钱的那个环节。

为了保证碳化硅芯片的供给，功率器件厂商率先买进上游衬底链，《买下那家SiC衬底供应商》一文提到，包括安森美、罗姆、英飞凌以及意法半导体在内，众多功率半导体大厂纷纷买下不同的优质SiC衬底供应商。

与之相对的是衬底厂商们的大幅扩产。Wolfspeed在2019年时推出了5年实现30倍扩产计划，宣布将投资10亿美元分别在北卡罗来纳州和纽约州建造8英寸功率和射频衬底制造工厂，将碳化硅晶圆制造能力提高多达30倍，并使碳化硅材料生产增加30倍，从而满足2024年的预期市场增长。

在去年年底举行的Wolfspeed分析师大会上，Wolfspeed透露衬底产能持续扩张，8 英寸SiC 晶圆厂有望于2022 年实现量产，当前Wolfspeed SiC 衬底的总产能为16.7 万平方英尺，约合7 万片/月（等效6 英寸），未来两年将逐步扩张产能至24.2 平方英尺，约合10 万片/月（等效6 英寸）。今年4月，Wolfspeed全球最大的首座8英寸SiC（碳化硅）工厂正式开业，该工厂预计2024年达产，届时产能将达2017年的30倍。

此外，安森美2022年第一季度财报指出，计划在今年将碳化硅衬底产能扩充4倍，2021年年底哈德逊工厂扩建4万平方英尺便是计划中的一步；高意集团在今年3月宣布，将扩大其在北安普顿县和瑞典的晶圆制造能力，作为 10 年内 10 亿美元投资的一部分，其中Easton 工厂在未来五年内将 II-VI 的碳化硅衬底产量至少增加 6 倍；今年5月，意法半导体开始购买设备，加快8英寸碳化硅衬底生产线建设。

再来看国内，山东天岳于今年登陆科创板IPO，发力导电型SiC衬底，募得资金中有23亿元用于建设6英寸导电型碳化硅衬底项目，预计2026年实现全面达产，对应6英寸导电型SiC衬底产能为30万片/年；今年3月，晶盛机电在宁夏开工建设了一期年产40万片6英寸以上的导电型、绝缘型SiC衬底产能；露笑科技也在全力推进产能建设，随着后端相应的切磨抛进口设备到位，预计能够在2023年实现年产20万片的产能规划；超芯星则计划将6-8英寸碳化硅衬底的年产量提升至150万片。

当前地球环境正在面临着前所未有的恶劣势态，持续不断的高温、接连融化的冰山…所有的一切都在提醒我们环保的重要性，在双碳政策以及各种需求的推动下，以碳化硅为主的第三代半导体必然会成为绿色时代的宠儿，相信在不久的未来，不止碳化硅衬底厂商，下游的第三代半导体功率器件厂商也将会迎来新一轮的“捞金浪潮”。