SiC衬底是发展SiC的关键。目前从原始的工艺到衬底的加工技术再到材料的大口径化扩展等各个环节，都是业界的焦点。不过SiC衬底目前仍存在密度较高、生长速率缓慢、成本比较高的挑战。

在SiC晶体生长工艺方面，出现了两家初创企业，分别是2020年6月17日创立的北京晶格领域，以及2021年6月成立的日本企业UJ-Crystal。一般而言，材料行业的初创企业并不常见，因为材料行业开发周期长，开发成本也比较高，但我们发现，这两家企业都有着大学成果转化的项目背景，可以说是产业的一大幸事。

2020年7月6日，中科院物理所科技成果转化项目液相法生长碳化硅半导体衬底项目落户中关村顺义园，由北京晶格领域半导体有限公司实施运营，分三期落地实施，计划总投资7.5亿元，一期投资5000万元，在中关村顺义园租赁厂房1050平方米，建设4—6英寸液相法碳化硅晶体中试生产线。2021年4月，晶格领域投资设立的碳化硅晶圆项目厂房已装修完毕，第一批设备全部进场，并开始试生产。

UJ-Crystal是日本名古屋大学孵化出的企业，名古屋大学的宇治原彻教授在大学研究了近20年的高品质SiC晶体生长技术。通过结合材料科学方面的知识和AI的计算能力，找出了制造晶体时需要调整的溶液浓度和制造装置的指标。经过4年的开发，成功制造出了产业用途至少需要的6英寸晶体。并计划在未来几年内推进量产。

在衬底加工环节，切割可以说是整个产能最大的瓶颈。现有的SiC晶圆切片方法大多使用金刚石线锯，然而，由于碳化硅的高硬度，加工时间较长，需要大量的金刚石线锯来批量生产硅片。由于在切片过程中有大量的材料丢失，单个晶锭生产出的晶圆数量就很少，这是制造SiC功率器件成本增加的一个主要因素。日本的DISCO和英飞凌，两者的光切割技术为大家熟知。