富士电机成立于1923年，由日本“古川电机株式会社”和德国“西门子股份公司”共同成立的资本和技术联盟。富士电机于1988年开始生产第一代IGBT。2010年开始开发SiC功率半导体模块。目前公司的中长期目标是将90%的资金投入和80%的研发（R&D）投入在电力电子系统和功率半导体这两个业务，其中1200亿日元的功率半导体的工厂设备投资约占总投资的一半。

富士电机设备投资一览

东芝于1939年由芝浦制作所（创立于1875年）和东京电机（创立于1890年）合并而成，前身为东京芝浦电机株式会社（Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd）。公司名称于1978 年正式更改为东芝株式会社。在功率半导体业务方面，2022年4月，东芝表示，将在其位于石川县的主要分立半导体生产基地加贺东芝电子株式会社建造一个新的 300 毫米晶圆制造厂，用于生产功率半导体。将分两期建设，根据市场趋势优化投资节奏，第一期计划于 2024财年开始投产，第一期达到满负荷时，预估产能将是2021财年的2.5倍。

瑞萨瑞萨是日立、三菱和 NEC电子的半导体部门的合并而来。2022年 5月17日，瑞萨投资900亿日元重启甲府工厂作为功率半导体专用 300 毫米晶圆厂，该工厂于2014年10月关闭，此前是150毫米和200 毫米晶圆制造线。一旦甲府工厂实现量产，瑞萨的IGBT等功率半导体总产能将翻一番。

罗姆于1958年在京都成立，最初是一家小型电子元件制造商。1967 年生产扩大到包括晶体管和二极管，并在1969年将IC和其他半导体产品添加到产品阵容中。罗姆（Rohm）是日本最大的SiC功率半导体生产商，并通过其德国子公司 SiCrystal 生产用于制造它们的 SiC 晶圆。罗姆拥有全球10%以上的SiC功率半导体市场以及15-20%的SiC晶圆市场。

日本还有在更上游的材料厂商，如生产SiC外延晶片的昭和电工，生产SiC晶圆的住友金属矿山。

昭和电工的SiC外延片市占率全球第一。该公司的SiC业务已经从外延向衬底成功延展，目的是改善SiC外延片的品质、扩大业务规模、提升综合竞争力。据今年3月消息显示，昭和电工已成功量产6英寸SiC单晶衬底，将用于生产SiC外延片。

2022年1月，据日经报道，住友金属矿山开始量产SiC晶圆。据悉，住友矿山开发出了相关技术，在因结晶不规则而价格较低的底层“多晶SiC”上贴一层可以降低发电损耗的“单晶SiC”，从而做成1片晶圆。可以同时使用便宜的材料，价格比拥有同样性能的传统产品降低1~2成左右。住友矿山考虑开发可以高效量产功率半导体的8英寸产品，并在海外建设生产基地。力争首先将新晶圆用于家电产品，预计2025年度以后配备于电动车。