随着半导体设计吋法的精细化，能够以高良率且安定地生产半导体的无尘室，亦被要求具有更高的洁净度。因此，考量更高度的无尘室技术能带来更高度的积体电路，进行“超高洁净技术”的推动。

另一方面，为了提高洁净度而无尘室的建设成本提高的问题，造成营运成本的大幅增加，造成生产性，说难听一点也就是商业性受到压缩。

为了对应这个问题，利用收纳多晶圆形成批次的“密闭型卡”来维持无尘室整体的洁净度，与只有在晶圆受到外部空气影响的装置周围，进行提高洁净度动作的“微环境”，两者双管齐下，而达成“局部洁净化”的技术，逐渐被采用。局部洁净化指的是，基于如图6，12-1所示概念的无尘室技术，也就是“局部洁净化II密闭型卡+微环境”。下述针对密闭型卡及微环境进行说明。

密闭型卡匣

目的在将半导体晶圆放入密闭的箱子里，并确保内部为特别洁净的环境，最初称为SMIF（Standard Mechanical Interface）的密闭型卡匣仅停留在构想阶段，并留下了一个名称为：200mm晶圆用搬送箱。此构想最后被正式实现，则是如图6-12-2所示的300mm晶圆用的搬送容器FOUP（Front Opening UnifiedPod）。

微环境

为了避免将收纳于密闭型卡厘内的晶圆，对制造装置进行装卸时造成污染，而在装置前方设置具有极高洁净度的移载室的构想。如图6-12'3所示，移载室周边的洁净环境称为微环境。

借由采用局部洁净化技术，可以避免晶圆直接接触无尘室环境，而能有高洁净度的处理过程，相较于将整个无尘室进行洁净化的旧方法，来得低成本、省能源。