如图4-14-1所示，半导体制造的前段制程中，可大致分别为两种处理方式。其中一种称为“批量处理”（batch processing），可同时处理多片晶圆。

另一种称为“单片处理”（single wafer processing），是将矽晶圆一片一片处理的方法。装置的称呼，则分别称为“批量装置”、“单片装置”。

逐渐増加的单片式

整体业界的方向而言，过去虽然以批量式为多，近年来单片式则有逐渐增加的趋势。为什么呢？

首先，随着半导体元件的高精密度趋势，使用的设计标准也越来越严格。故一次处理一片晶圆的单片处理方法，要比同时处理多片晶圆的批量处理法，要来得更能够在晶圆上实现高精密的图案。

另一个理由则是，使用的矽晶圆口径越来越大的缘故。在大口径下，单片处理方式更容易确保能将高精密的图案均一地布线在晶圆面内，同时尽可能减少晶圆间的差异。

单片处理的缺点

然而，单片处理也并不是完全没有缺点的。举例来说，从“产出量（throughput）”、也就是单位时间内某设备能够处理的矽晶圆片数的观点来看，一般来说均是批量式处理胜出。另外，以设备“占据面积（foot-print）”地就是单位晶圆处理所需要的工厂面积来说，也通常是批量处理较为有利。

图4-14-2显示代表性制造设备于批量式及单片式的差异。成膜设备的热氧化、CVD、溅镀方面，是批量式及单片式混合使用。光蚀刻设备的光阻涂布、曝光、显影，则大多为单片式。

在蚀刻设备上，湿蚀刻及干蚀刻均是批量式及单片式混合使用。

在不纯物添加装置上，离子注入为单片式、扩散为批量式。CMP设备普遍为单片式。洗净设备上，湿洗净是批量式及单片式混合使用，干洗净则以单片式为主。