半导体以高精密技术为中心发展至今。特别是光蚀刻技术，其中又以进行图案转印的曝光技术为核心技术。

现今，在生产水准的曝光技术的主角，是以氟化氨（ArF）的准分子雷射为光源的扫描机。一般而言，扫描机的运作原理，考量解析度（R）、光源的波长（λ）、镜片的亮度（NA开口率）以及经验常数（k），可以下述公式表达之。

R=kλ/NA

因此即使是相同的ArF 扫瞄机，将k值缩小可望有助于提升解析度极限。这种技术称为“超解析技术”。

由于氟化氢（ArF）准分子雷射光也是光的一种，当然也有光的“干涉”、“折射”等现象。让我们来看看，反过来利用光线固有现象做为助力，有五种使k值缩小的代表性方法。

1.变形照明法

如图4-13-1所示，调整照明系统，可使实际有效光源的形状产生变化，而让k值缩小。相对于一般使用的圆形照明，实际所使用的变形照明法，包括甜甜圈状的“轮带照明”、将光源分割成四个小圆形的“四重极照明”等。

2.相位偏移法

如图4-13-2所示，对于利用扫描机将图案缩小为四分之一投影的光罩（Rectile, Mask），也能使k值变小。一般的光罩为，在石英制的基板上，以实际图案尺寸的四倍，形成络（Cr）薄膜图案。

相对来说，在灰阶（Half-tone）型光罩中，使遮光部具有数％的透光率，使遮光部透过光的相位，与透过石英部的光线相位，形成180度，进而强调图案部份，并能够使透过的光强度分部变窄。灰阶（Half-tone）型主要使用在接触式的图案。

另外，在“雷文生型（Levenson）相移光罩”中，每隔一条线图案便配置一条相移图案。此相移图案借由将石英基板挖出沟槽的构造形成。借由雷文生型的相移方法，可改善解析度，约为曝光光源的一半左右。

3.OPC法

对于曝光时，折射与干涉造成转印图案的变形（崩解）问题，可事先在光罩上制作补偿机制，使得转印图案对设计图案的忠实度提高，称为OPC（Optical ProximityCorrection：光学近似补偿）法。

OPC有如图4-13-3各种不同的做法。大致可分为，将图案尺寸的一部分设定“偏量”的方法，以及追加“辅助图案”使得转印图案能接近原来的图案的方法，以及在凹凸部分追加“衬线”的方法等。

在实际的半导体设计上，究竟应该使用哪一种OPC，原本在光学上具有一般性的指导原则，但细节做法，则根据各个产品的差异，或者是根据各公司的know-how而有许多做法上的差异。

OPC面临的最大的问题为，由于需要绘制如此复杂的图案，其相对所需的电子束直描装置（EB曝光机）的费用负担也同步提高，使得光罩价格大幅增加。因此在制作最先进的半导体时，一套光罩的价格，有时甚至会超过一亿日圆。

4.多面贴附

在步进机上，需要将光罩图案缩小，投影在晶圆上，透过步进、重复的动作，完成整面晶圆的扫描曝光动作。此时，为了正确转印图案，若能够运用的镜片区域越大，则曝光区域也越大，能够同时对多个IC晶片图案进行曝光，生产效率也能提升。

也就是说，若使用两面贴附则能达到两倍产出效率，三面贴附则能达到三倍产出效率。此种光罩称为多面贴附。

5.Pellicle

Pellicle为薄皮、薄膜的意思，指的是防止曝光问题而覆盖在光罩上的防尘膜。如图4-13'4所示，光罩经过精密洗净后，在表面贴附一层薄薄的保护膜。贴附保护膜前后均需进行光罩上的异物检验。

Pellicle的作用在于防止异物附着在光罩表面，以及防止拿取搬送过程中对光罩可能产生的损伤。若有附着于光罩表面的微小异物，会造成无法对焦的问题，使得图案无法转印到晶圆上。