）GaN_0.033As_0.967区隔开，元件发光波长为1.53μm，氧化孔径 7μm 的元件在15°C下电激发光连续波操作阈值电流值 2.87mA，最高可连续波操作温度为20°C，与之前成果相比操作特性已经有显著提升，显示与砷化镓基板晶格匹配的 GaInNAsSb 材料应用在 1.3μm和1.55μm 全磊晶结构面射型雷射具有相当高的潜力。