3%但是已经比 MBE 成长的雷射活性层还要高，因此发光波长成功达到1.3微米，并且可以在室温下脉冲操作。
2000年时史丹佛大学J.S. Haris 教授团队利用 MBE 系统在砷化镓基板上成长全磊晶结构面射型雷射，活性层为三层 7nm 厚的Ga0.3In0.7N0.02As0.98被 20nm 厚 GaAs 隔开的三重量子井结构，波长达 1200nm，可以在室温下脉冲电激发光［38］ 以及室温下连续波电激发光，同年稍后仍任职于 Sandia 国家实验室的K.D. Choquette 团队利用上下均为n型Al0.94Ga0.06As/GaAs DBR夹着两层 6nm 厚且被 GaAs 隔开的 In0.34Ga0.66As0.99N0.01双重量子井活性层，上方n 型 DBR 与活性层间加入一层穿隧接面（tunnel junction）提供电洞注入，且上下 DBR 与活性层之间都有选择性氧化电流孔径，由于上下都探用n型DBR可以在较低掺杂浓度下就获得低电阻，有效减低自由载子吸收（free carrier absorption）效应，使得该元件首次成功在室温下连续波电激发光操作，波长达1294nm 且为单模操作，最高操作温度达55°C。除了上述成果均以 MBE 系统成长以外，在2002年也分别由 Agilent实验室和 Emcore 公司团队成功以 MOCVD 方式成功制作1.3微米的 InGaAsN 面射型雷射。
由于氮平常呈现气态，因此要将其掺杂入 InGaAs固体中本来就有相当高的难度，一般添加的浓度没办法太高，因为在相对较高的磊晶温度下氮原子容易逸散，此外在MBE磊晶系统中氮的来源为射频电浆产生器（RF plasma source），通常会将氮原子游雕为电浆态再和其他成分原子于基板表面结合反应，可能会撞击磊晶面造成损伤形成非辐射复合中心而降低发光效率，因此在2001年起日本古河电机公司横滨研发实验室的H.Shimizu 团队尝试在成长 InGaAsN
