时添加锑原子并发现能显著改善磊晶品质，该团队并在2003年首次成功制作GaInNAsSb-GaAs 面射型雷射，发光波长1.287μm，室温下连续波电激发光操作，在氧化局限电流孔径9.4μm 的元件其阈值电流值为2.5mA，氧化孔径7μm 的元件阈值电流值为1.85士0.15mA，最大功率可达1mW。不过该元件虽然也是全磊晶结构，但是磊晶成长过程较为复杂，主要分成三个步骤进行，上下 DBR 为30.5对n型和28对p型 Al_0.9Ga_0.1As-GaAs 分别以MOCVD进行磊晶成长，中间的2λ共振腔中包含Ga_0.63In_0.37N_0.012As_0.972Sb_0.016/GaN_0.019As_0.981 三重量子井另外以 GS-MBE 成长，该成果证实GaInNAsSb 在长波长面射型雷射上的应用确实可行。

史丹佛大学J.S. Harris 教授团队在 2003年也利用MBE 系统在砷化镓基板上成长InGaAsNSb 五元化合物导体面射型雷射，将发光波长进一步往1.55微米范围延伸。其发光层为三层 7nm 厚 Ga_0.62In_0.38N_0.016As_0.958Sb_0.026量子井被 20nm 厚GaNAs隔开，上下分别由29对n型及24对p型掺杂的Al_0.92Ga_0.08As/GaAs DBR所组成，元件发光波长1.46μm是当时在砷化镓基板上所能获得最长发光波长的面射型雷射纪录，在-10°C温度下可以脉冲操作电激发光，阈值电流值为580mA，在0°C时阈值电流值为700mA 。在2006年时该团队同样在砷化镓基板上成长全磊晶结构面射型雷射，发光层为三层7.5nm厚 Ga_0.62In_0.38N_0.03As_0.94Sb_0.03量子井被21nm 厚GaN_0.04As_0.96区隔开，借由选择性氧化制程保留 14μm电流孔径，可以在-25°C电激发光操作，波长为1534nm 。在2009年时采用三层 7nm 厚 Ga_0.59In_0.41N_0.028As_0.946Sb_0.026量子井并以20nm 厚的应变补偿（strain-compensating