IMD2 工艺与 IMD1工艺类似。IMD2 工艺是指在第二层金属与第三层金属之间形成的介质材料，形成电性隔离。

1）淀积USG。利用 HDP CVD 淀积一层比较厚的SiO₂，厚度约为7000A。因为 HDP CVD台阶覆盖率非常好，可以有效地填充金属线之间的空隙。

2）淀积 USG。通过 PECVD 淀积一层厚度约为8000A 的SiO₂。淀积的方式是利用 TEOS在400°C发生分解反应形成二氧化硅淀积层。因 PECVD的淀积速率比 HDP CVD 要高，可以提高产能。但是 PECVD的空隙填充能力比 HDP CVD 差。图4-119所示为淀积 USG的剖面图。

3）IMD2平坦化。利用 CMP进行IMD2平坦化，以利于后续淀积金属和光刻工艺。因为IMD2 CMP没有停止层，所以必须通过控制 CMP工艺的时间来达到特定的IMD2厚度。图4-120所示为 IMD2 CMP 的剖面图。

4）量测IMD2厚度。收集CMP之后的IMD2厚度数据，检查是否符合产品规格。

5）清洗。利用酸槽清洗晶圆，得到清洁的表面。

6）淀积USG。通过 PECVD淀积一层厚度约为2000A的SiO₂。淀积的方式是利用TEOS在400°C发生分解反应形成二氧化硅淀积层。修复CMP对表面的损伤。图4-119所示为淀积USG 的剖面图。

7）淀积 SiON。利用 PECVD淀积一层SiON 作为光刻的防反射层。图4-121所示为淀积SiON的剖面图。