金属层2（M2）工艺与金属层1工艺类似。金属层2工艺是指形成第二层金属互连线，金属互连线的目的是实现把第一层金属或者第三层金属连接起来。

1）M2 光刻处理。通过微影技术将 M2掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成 M2 光刻胶图案，M2 区域上保留光刻胶。VIA1作为M2光刻曝光对准。图4-113所示为电路的版图，与图4-108比较，它多一层 M2，工艺的剖面图是沿 AA"方向。图4-114所示为 M2 光刻的剖面图。图4-115所示为M2显影的剖面图。

2）量测 M2光刻的关键尺寸。

3）量测M2 的套刻，收集曝光之后的M2 光刻与VIA1 的套刻数据。

4）检查显影后曝光的图形。

5）M2 干法刻蚀。利用干法刻蚀去除没有被光刻胶覆盖的金属，保留有光刻胶区域的金属形成金属互连线。刻蚀的气体是Cl₂。刻蚀最终停在氧化物上，终点侦查器会侦查到刻蚀氧化物的副产物。图4-116所示为 M2刻蚀的剖面图。

6）去除光刻胶。除了前面提到的干法刻蚀利用氧气形成等离子浆分解大部分光刻胶，还要通过湿法刻蚀利用有机溶剂去除金属刻蚀残留的氯离子，因为氯离子会与空气接触形成HCI 腐蚀金属。图4-117所示为去除光刻胶后的剖面图。

7）量测M2 刻蚀关键尺寸。

8）淀积SiO₂。通过 PECVD 淀积一层厚度约为1000A的SiO₂。淀积的方式是利用 TEOS在400°C发生分解反应形成二氧化硅淀积层。SiO₂可以保护金属，防止后续的 HDP CVD 工艺损伤金属互连线。图4-118所示为淀积 SiO₂的剖面图。