金属电容（Metal Insulator Metal, MIM）工艺是指淀积 MIM 介质层和 MIM 金属上极板，以及刻蚀 MIM 金属上极板的过程。

1）Ar刻蚀。PVD 前用Ar离子溅射清洁表面。

2） 淀积Ti/TiN层。利用PVD的方式淀积300A的Ti和500A的TiN。首先通入气体Ar轰击Ti靶材，淀积Ti薄膜。再通入气体Ar 和N₂轰击Ti靶材，淀积TiN薄膜。Ti作为粘接层，TiN 是AI的辅助层，TiN 也作夹层防止 AI与二氧化硅相互扩散，TiN 也可以改善AI的电迁移，TiN 中的Ti会与Al反应生成TiAl₃,TiAl₃是非常稳定的物质，它可以有效地抵御电迁移现象。

3）淀积 AICu金属层。使用的原料为铝合金靶材，其成分为0.5%铜，1%硅及98.5%铝。通过 PVD的方式利用Ar 离子轰击铝靶材淀积 AICu金属层，厚度5500A作为第二层金属互连线。

4）淀积TiN层。通过 PVD 的方式利用 Ar 离子轰击Ti靶材，Ti与N₂反应生成TiN，淀积350A的TiN。TiN 隔离层可以防止 AI 和氧化硅之间相互扩散，TiN 除具有改善电迁移的作用外，还作为VIA2蚀刻的停止层和光刻的防反射层。图4-105所示 淀积金属层 Ti/TiN/AICu/TiN的剖面图。

5）淀积 MIM （Metal Insulator Metal）介电层 SiO₂。利用 PECVD 淀积一层很薄的 SiO₂，作为MIM 的介电层。根据不同的单位电容值， SiO₂的厚度会不一样。图4-106所示为淀积MIM 介电层 SiO₂的剖面图。

6）淀积 AICu金属层。使用的原料为铝合金靶材，其成分为0.5%铜，1%硅及98.5%铝。通过 PVD 的方式利用 Ar 离子轰击铝靶材淀积 AICu金属层，厚度为1000A作为MIM 金属的上极板。

7）淀积TiN层。通过PVD的方式利用Ar离子轰击Ti靶材，Ti与N₂反应生成TiN，淀积350A的TiN。TiN作为VIA2 蚀刻的停止层和光刻的防反射层。图4-107所示为淀积AICu 和TiN的剖面图。

8）MIM光刻处理。通过微影技术将 MIM 掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成 MIM光刻胶图案，MIM区域上保留光刻胶。第零层作MIM 光刻曝光对准。图4-108所示为电路的版图，与图4-97比较，它多一层 MIM，工艺的剖面图是沿 AA'方向。图4-109所示为MIM光刻的剖面图，图4-110所示为 MIM 显影的剖面图。

9）量测 MIM 关键尺寸。

10）量测 MIM 的套刻，收集曝光之后的 MIM 光刻与第零层的套刻数据。

11）检查显影后曝光的图形。

12）MIM 干法刻蚀。利用干法刻蚀去除被光刻胶覆盖的金属刻蚀掉，保留有光刻胶区域的金属形成 MIM 的上极板。刻蚀的气体是Cl₂。刻蚀停在氧化物上防止损伤 M2，终点侦查器会侦查到刻蚀氧化物的副产物。图4-111所示为 MIM 刻蚀的剖面图。

13）去除光刻胶。除了前面提到的干法刻蚀利用氧气形成等离子浆分解大部分光刻胶，还要通过湿法刻蚀利用有机溶剂去除金属刻蚀残留的氯离子，因为氯离子会与空气接触形成HCI 腐蚀金属。图4-112所示为去除光刻胶的剖面图。

14）量测 MIM 刻蚀的关键尺寸。