通孔1工艺是指在 IMD1介质层上形成金属层1（M1）与金属层2（M2）连接通道。通孔的填充材料也是金属钨（W），它利用CVD进行淀积可以实现优良的台阶覆盖率和高深宽比接触通孔无间隙的填充。

1）VIA1光刻处理。通过微影技术将 VIA1掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成VIA1的光刻胶图案，非VIA1 区域上保留光刻胶。M1作为VIAI光刻曝光对准。图4-97所示为电路的版图，与图4-88比较，它多一层 VIA1，工艺的剖面图是沿 AA'方向。图4-98所示为VIA1光刻的剖面图。图4-99所示为 VLAI显影的剖面图。

2）量测 VIA1 光刻的关键尺寸。

3）量测 VIA1光刻套刻，收集曝光之后的 VIA1 光刻与 M1的套刻数据。

4）检查显影后曝光的图形。

5）VIA1 刻蚀。利用干法刻蚀去除无光刻胶覆盖区域的氧化物，获得垂直的侧墙形成通孔1，提供金属层1和金属层2的连接。刻蚀的气体是CHF₃和CF₄。TiN 作为刻蚀的停止层，终点侦查器会侦查到刻蚀氧化物的副产物锐减，刻蚀最终停在TiN上面。图4-100所示为VIA1 刻蚀的剖面图。

6）去除光刻胶。除了前面提到的干法刻蚀利用氧气形成等离子浆分解大部分光刻胶，再通过湿法刻蚀利用有机溶剂进行清洗。图4-101 所示为去除光刻胶的剖面图。

7）量测 VIA1 刻蚀关键尺寸。

8）Ar 刻蚀。PVD 前用 Ar 离子溅射清洁表面。

9）淀积Ti/TiN层。利用PVD的方式淀积200A的Ti和500A的TiN。首先通入气体Ar轰击Ti靶材，淀积Ti薄膜。再通入气体Ar和N₂轰击Ti靶材，淀积TiN 薄膜。Ti/TiN层可以防止钨与硅反应，而且有助于后续的钨层附着在氧化层上，因为钨与氧化物之间的粉附性很差，如果没有 Ti/TiN 的辅助，钨层很容易脱落。图4-102 所示为淀积 TVTiN的剖面图。

10）淀积钨层。利用CVD的方式淀积钨层，填充通孔，通人的气体是WF₆、SiH₄和H₂。淀积分两个过程：首先是利用 WF₆和SiH₄淀积一层成核的钨籽晶层，再利用 WF₆和H₂淀积大量的钨。钨生长是各向同性，生长的厚度不小于VIA1的半径。图4-103所示淀积钨层的剖面图。

11）钨CMP。利用CMP 除去表面的钨和 TiN，防止不同区域的VIA1 短路，留下钨塞填充通孔。氧化物是CMP 的停止层，CMP 终点侦察器侦查到IWD1 硅玻璃反射回来的信号，但还要考虑工艺的容忍度，防止有钨残留造成短路，所以侦查到终点时，还要进行一定时间的工艺。图4-104所示为钨 CMP的剖面图。