IMD1 工艺是指在第一层金属与第二层金属之间形成的介质材料，形成电性隔离。IMD1的材料是氧化硅。

1）淀积 SiO₂。通过PECVD 淀积一层厚度约为1000A 的 SiO₂。淀积的方式是利用TEOS在400°C发生分解反应形成二氧化硅淀积层。 SiO₂可以保护金属，防止后续的 HDP CVD 工艺损伤金属互连线。图4-93所示为淀积 SiO₂的剖面图。

2）淀积USG。利用HDP CVD 淀积一层比较厚的 SiO₂，厚度约为7000A。因为HDP 台阶覆盖率非常好，可以有效地填充金属线之间的空隙。

3）淀积 USG。利用 PECVD淀积一层 SiO₂，厚度约为8000A。淀积的方式是利用 TEOS在400°C发生分解反应形成二氧化硅淀积层。因为 PECVD的淀积速率比 HDP CVD要高，可以提高产能。但是 PECVD 的空隙填充能力比 HDP CVD差。图4-94所示为淀积 USG的剖面图。

4）IMD1平坦化。利用CMP 进行IMD1 平坦化，以利于后续淀积金属和光刻工艺。因为 IMD1 CMP 没有停止层，所以必须通过控制CMP工艺的时间来达到特定的 IMD1 厚度。图4-95所示为IMD1 CMP 的剖面图。

5）清洗。利用酸槽清洗晶圆，得到清洁的表面。

6）量测IMD1 厚度。收集CMP 之后的IMD1 厚度数据，检查是否符合产品规格。

7）淀积USG。利用PECVD淀积一层比较厚的USG，厚度约为2000A。淀积的方式是利用 TEOS 在400°C发生分解反应形成二氧化硅淀积层。修复 CMP 对表面的损伤。

8）淀积SiON。利用PECVD淀积一层厚度约200~300A的SiON 层，利用硅烷（SiH₄）、一氧化二氦（N₂O）和 He在400°C的温度下发生化学反应形成SiON淀积。SiON 层作光刻的底部抗反射层（BARC）。图4-96所示为淀积SiON 的剖面图。