9）量测 MIM 关键尺寸。

10）量测 MIM 的套刻，收集曝光之后的 MIM 光刻与第零层的套刻数据。

11）检查显影后曝光的图形。

12）MIM 干法刻蚀。利用干法刻蚀去除被光刻胶覆盖的金属刻蚀掉，保留有光刻胶区域的金属形成 MIM 的上极板。刻蚀的气体是Cl₂。刻蚀停在氧化物上防止损伤 M2，终点侦查器会侦查到刻蚀氧化物的副产物。图4-111所示为 MIM 刻蚀的剖面图。

13）去除光刻胶。除了前面提到的干法刻蚀利用氧气形成等离子浆分解大部分光刻胶，还要通过湿法刻蚀利用有机溶剂去除金属刻蚀残留的氯离子，因为氯离子会与空气接触形成HCI 腐蚀金属。图4-112所示为去除光刻胶的剖面图。

14）量测 MIM 刻蚀的关键尺寸。