μm -65nm 工艺技术选择用Co代替T的原因。

Co-Salicide 对线宽控制比 Ti-Salicide 好，RTA-1 的温度是300~370°C，形成C49相位的金属硅化物Co₂Si，当温度大约为500°时Co₂Si转化为CoSi，然后在700°C或者更高的温度下形成C54相位的金属硅化物CoSi₂。在低温时Co是主要扩散物，Co进入界面与硅反应，这样Co₂Si横向扩散比Ti₂Si的小，但是在高温时CoSi转化为CoSi₂，硅是主要扩散物。

掺杂类型会对 Salicide 的阻值产生影响，n型区和p型区的方块电阻是不同。对于n型区，会形成较薄的金属硅化物，所以n型区的方块电阻较大，而p型区的情况相反，所以设计上要区分n型或者p型电阻。

另外杂质在 Salicide 中的扩散速度非常快，所以在多晶硅中的掺杂物容易进入金属硅化物层，而流串至其他地方。多晶硅会因为掺杂物的流失而产生严重的空乏效应。对于 CMOS工艺，则会有p 型和n 型掺杂物的相互污染，导致MOS 管阈值电压的变化。

对于65nm 以下的Ni-Salicide，首先在低温下形成Ni₂Si，随着温度升高再形成 NiSi。由于NiSi 具有热不稳定性，当温度高于400°C时最终形成稳定的化合物NiSi2，在这个过程中Ni 是主要扩散物，导致 NiSi2深入衬底形成短路，会形成漏电问题，这种现象称为 NiSi侵蚀衬底。为了改善该问题，在Ni 靶材中加入5%~10%的Pt，也就是利用 NiPt 的合金靶材代替纯-Ni靶材，最终形成 NiPt-Salicide。