Salicide 工艺技术是在标准的CMOS 工艺技术的基础上增加硅金属化的相关工艺步骤，Salicide 工艺步骤是完成源和漏离子注入后进行的。形成 Salicide 的基本工艺步骤是首先利用物理气相淀积（Physical Vapor Deposi-tion, PVD）在多晶硅栅和有源区上淀积一层金属（Ti、Co和 NiPt等）。然后进行两次快速热退火处理（RTA），以及一次选择性湿法刻蚀处理，最终在多晶硅表面和有源区表面形成 Salicide，金属硅化物包括TiSi_2，CoSi₂，和 NiPtSi 等薄膜。金属Ti，Co或 NiPt 不会跟介质材料反应形成金属硅化物，只会与直接接触的多晶硅和有源区反应形成金属硅化物。与Polycide 不同的是 Salicide 工艺技术会在多晶硅和有源区同时形成 Salicide，降低它们的方块电阻和接触电阻，在设计上可以得到更小串联电阻，减小 RC延时，提高电路的速度。

为什么需要两次 RTA呢？以Ti-Salicide 工艺为例，首先淀积一层Ti 薄膜，然后再淀积一层TiN 薄膜覆盖在Ti薄膜上，淀积TiN 薄膜的目的是防止Ti在快速热退火处理时流动。第一次 RTA-1 的温度比较低，只有450~650°C，Ti只会与有源区或者多晶硅的硅反应形成高阻态的金属硅化物 Ti2Si，它是体心斜方晶系结构，它是C49相，Ti不会和氧化硅反应生成金属硅化物，所以可以利用选择性湿法刻蚀去除表面的TiN 薄膜和氧化硅上没有反应的Ti薄膜。第二次 RTA-2温度很高，最低也要750°C，有的工艺平台要求高达950°， RTA-2 可以将C49相的高阻态金属硅化物Ti2Si转化为低阻的C54 相金属硅化物Ti2Si,C54相是面心斜方晶系结构，它的热力学特性很好，非常稳定。如果只通过一次RTA 生成低阻的金属硅化物TiSi₂，那么这个步骤的 RTA 的工艺温度会很高，在如此高温的环境下，硅可以沿着TiSi₂的晶粒边界进行扩散，导致氧化硅边界上面的TiSi₂过度生长，湿法刻蚀无法去除氧化物上的金属硅化物，而造成短路。图3-104所示为经过两次不同温度的RTA 工艺步骤，只在源、漏和栅上形成 Salicide。图 3-105 所示为只经过一次高温的RTA，在 STI 和侧墙上也形成Salicide，造成短路。

图3-106所示为Salicide 工艺技术中两次RTA 工艺的温度相位图。第一次RTA-1 使金属与硅反应形成相位C49的高阻态金属硅化物