Ti₂Si、CoSi_2、Ni₂PtSi，它的反应温度小于T₁，T₁（Ti）>T₁（Co）>T₁（NiPt）。然后用湿法刻蚀（刻蚀的酸是 NH₄OH和H₂O₂）去除氧化物上未反应的金属，防止桥连短路。第二次 RTA-2 需要更高的温度T₂，把相位C49 转化为C54的低阻金属硅化物生成TiSi₂ /CoSi₂/NiPtSi₂,T₂（Ti）>T₂（Co）>T₂（NiPt）。

Ti- Salicide 有一个致命的缺点，随着 Salicide 厚度的降低或者线宽的减小，Ti- Salicide 由C49相位转化为C54 相位的临界温度T₁会升高，而C54 相位发生团块化的临界温度T₂反而会降低，以致于会出现T₁=T₂的临界点，甚至会出现T₂小于T₁的情况，如图3-107所示。如果出现T₂小于T₁的情况，Ti-Salicide 出现C49相位后就会直接发生团块化，根本就不存在C54相位这个区间，也就是根本找不到降低金属硅化物电阻的工艺条件，所以只有大尺寸的工艺才会采用Ti-Salicide 工艺技术，例如特征尺寸0.5~0.25μm 的工艺技术。而Co-Salicide 可以有效避免这种直接发生团块化现象，所以特征尺寸0.18μm ~65nm 的工艺技术都采用Co-Salicide 工艺技术。另外由于特征尺寸为65nm 以下的工艺技术需要特别考虑热量的问题，所以选择 NiPt-Salicide 工艺技术，因为 NiPt-Salicide 工艺技术的 RTA 工艺温度比 Co-Salicide工艺低。

另外硅和金属还存在互扩散的问题，对于 Ti-Salieide 工艺技术，淀积的金属是 Ti，在形成硅化物的过程中，硅是主要扩散物，在边缘处可以参与反应的硅相对来说会少一点，所以边缘形成的金属硅化物的厚度就会相应变薄，那么边缘的薄层电阻就会相应变大，表现出来的特性就是金属硅化物的边缘的电阻较大；对于线宽为0.18μm以下的工艺技术，这种特性会非常严重。除了边界处金属硅化物电阻增大的问题，另外硅会扩散到金属上，引起的桥接问题。由于硅扩散到金属中的速度大于金属扩散到硅中的速度，所以金属硅化物不仅会在金属与硅的直接接触面形成，还会在氧化物上形成造成桥接，例如 STI和侧墙上。虽然 STI和侧墙上Ti金属并不与硅直接接触，当初始的硅金属化反应发生在纯N₂气氛中进行时，可以阻止硅化物在横向上的生长。另外金属 Co和NiPt 可以有效地避免上述敬应，这是0.18