SiO₂/Si₃N₄/SiO₂，作为第二重侧墙。对于第二重侧墙，首先利用LPCVD淀积一层厚度大约150A 的SiO₂层作为Si₃N₄作应力的缓解层，然后淀积大约350A的Si₃N₄层，最后淀积大约1000A的SiO₂层，利用各向异性的干法刻蚀刻蚀SiO₂停在Si₃N₄层，再干法刻蚀刻蚀Si₃N₄停在SiO₂层。图3-80所示为90nm 及以下的工艺技术的侧墙工艺的简单示意图，其中图3-80a是利用LPCVD 淀积SiO₂和Si₃N₄；图3-80b 是利用干法刻蚀形成第一重侧墙；图3-80c是LDD离子注入；图3-80d是淀积三文治结构 SiO₂/Si₃N₄/SiO₂；图3-80e是利用干法刻蚀形成第二重侧墙。