UTB-SOI 与平面型 MOSFET 的主要区别是 MOSFET 的沟道与衬底是相互连接在一起的，栅极不能强有效地控制远离栅极的衬底，源漏会在远离栅的衬底的区域形成漏电流，短沟道效应严重影响 MOSFET的性能。UTB-SOI 的沟道与衬底是通过氧化埋层隔离的，UTB-SOI 的沟道非常薄，它只有0.25Lg，栅极可以有效地控制沟道导通和关断，抑制短沟道效应，减小亚阈值漏电流。UTB-SOI 也无需高掺杂沟道，所以也可以有效地降低离散的杂质离子的散射效应，与重掺杂的平面型 MOSFET 相比，它载流子的迁移率将会大幅提升，UTB-SOI 的速度也将大幅改善。
图2-57所示为25nm UTB-SOI NMOS 和PMOS 的剖面图，它的沟道厚度只有5nm，所以栅极可以有效地控制沟道，改善短沟道效应。NMOS 的源漏有源区是外延生长的SiC应变材料，SiC应变材料可以在NMOS 的沟道产生张应力，提高电子的迁移率，最终提高 NMOS 的速度。PMOS 的源漏有源区是外延生长的SiGe 材料，SiGe 应变材料可以在PMOS的沟道产生压应力，提高空穴的迁移率，最终提高PMOS 的速度。凸起的源和漏有源区可以形成更厚的 Salicide 和增大源漏的接触面积，可以降低 NMOS 源和漏的接触电阻。
体 FinFET与SOI FinFET 相比，体 FinFET的衬底是体硅晶圆，SOI FinFET的衬底是SOI晶圆，体硅衬底比SOI 衬底具有更低的缺陷密度和更低的成本。此外，由于SOI 衬底中氧化埋层的热传导率较低，体硅衬底的散热性能要优于 SOI 衬底，所以 SOI FinFET 在高功耗领域的应用受到限制。SOI FinFET 比体 FinFET 具有较低的寄生结电容，SOI FinFET 在高频和低功耗领域更具优势。
UTB-SOI 与 SOI FinFET相比，它们的衬底都是SOI 晶圆，所以在寄生结电容方面是类似的。UTB-SOI 仍采用平面型晶体管工艺技术，所以 UTB-SOI 与平面 MOSFET 是兼容的，它们的工艺制造流程类似，而SOI FinFET 和体FinFET是立体结构，它们的工艺是立体晶体管工艺技术，在工艺实现上要比 UTB-SOI 复杂，成本也比 UTB-SOI高很多，所以UTB-SOI 在研发上更简单更具有优势，而实现 FinFET技术将是一个巨大挑战。与 SOI Fin-FET的应用领域类似，UTB-SOI 主要应用在频率较高和低功耗的领域，例如物联网和移动设备等。
