简单来说，无论是 UTB-SOI还是 FinFET，它们都是利用栅控制很薄的硅沟道薄膜。为什么UTB-SOI 和FinFET要把硅沟道薄膜的厚度制造得很薄，它的原理是什么呢？这可以从MOSFET的能带图去理解，MOSFET 的剖面图如图2-54所示，MOSFET 处于关闭状态时沟道区域和衬底区域的能带图如图2-55所示，图2-55a 是沟道距离栅极X_a≤0.25L_g的沟道区域的能带图，栅极对该区域的沟道形成有效的控制，漏极的电压V_d不足以导致沟道的势垒高度降低。图2-55b 是距离栅极X_b>0.25L_g的沟道区域的能带图，它距离栅极较远，栅极对该区域的沟道没有形成有效的控制，由于短沟道效应中 DIBL效应导致沟道区域的势垒高度降低了Φ_DIBL，虽然 MOSFET处于关闭状态，但是电子依然很容易越过势垒，在沟道的正下方会形成漏电流。为了有效地抑制短沟道效应，必须设法使沟道中任何点到栅的距离在X_a≤0.25L_g的范围内。L_g是器件的沟道长度。

图2-56所示为 MOSFET 向 UTB-SOI 和FinFET发展图。为了有效地抑制短沟道效应，依据平面 MOSFET的结构，UTB-SOI 是通过超薄绝缘层把 MOSFET 中距离栅极大于0.25L_g的沟道区域与源漏极隔离，从而改善短沟道效应。FinFET 是直接把MOSFET中距离栅极一定范围的沟道提取出来，形成凸起的高而薄的鳍，高而薄的鳍就是 FinFET 的沟道，FinFET的栅极则是三面包围着沟道，能通过三面的栅极控制沟道的导通与关断，加强栅极对沟道的控制，鳍的厚度在0.67L_g左右。

三维立体型 FinFET与平面型MOSFET 的主要区别是 MOSFET 的栅极位于沟道的正上方，只能在栅极的一侧控制沟道的导通与关断，栅极、源极和漏极都在一个平面。而FinFET的栅极则是三面包围着沟道，能通过三面的栅极控制沟道的导通与关断，栅极成类似鱼鳍的叉状3D架构，栅极、源极和漏极不在一个平面。FinFET的沟道是由衬底凸起的高而薄的鳍构成，源漏两极分别在其两端，沟道的三面紧贴栅极的侧壁，这种鳍型结构的沟道厚度很小只有0.67L_g左右，所以沟道内部与栅的距离也相应缩小，同时栅与沟道的接触面积也增大，最终加强了栅对整个沟道的控制，也可以有效地抑制器件短沟道效应，减小亚阈值漏电流。FinFET无需高掺杂沟道，离散的杂质离子的散射效应也得到了有效的降低，与重掺杂的平面型 MOSFET相比，载流子的迁移率将会大幅提升，所以 FinFET的速度也将大幅提升。