2011年，Intel 公司宣布推出22nm Fin-FET工艺技术，它的晶体管结构与早期Hisamoto 研发的 Delta FET非常类似，它依然采用阱隔离技术而不是局部氧化隔离。图2-53所示 Intel 22nm FinFET的立体图，左边是利用很薄的鳍构成单个器件，右边利用两条很薄的指状的鳍构成一个器件，目的是增大FinFET的宽度，从而提高晶体管的速度。