过去半导体主要是以铝（AI）做为布线材料。

一般来说，半导体的布线是以溅镀法长成铝的薄膜后，在上面以黄光微影技术形成布线的光阻图样，并以其为光罩，将铝以干式蚀刻加工即成。

然而随着半导体高度积体化以及精细加工技术的进展，布线线宽越来越窄。结果造成布线电阻增加，在布线内流动的电讯延迟，造成半导体运作速度限制，造成来自于称作“迁移”带来的可靠性相关问题日渐着。

迁移的代表性范例之一电迁移（EM），发生于铝布线中流动的高密度电流（电子风）导致铝原子被流到下风处，使得布线一部份的膜质变薄甚至断线，或是在下风处产生微小的凸起（hilock）。

从铝布线到铜布线

因此为了对应铝布线产生的问题，选择电阻较铝为低、耐电迁移特性较好的、更重的元素，故铜（Cu）受到了瞩目。

铜布线较铝布线拥有更理想的性质，但铜有非常难以利用干式蚀刻加工的缺点。

在此背景下开发出来的是，利用所谓镶嵌金属工艺“镶嵌制程”布线技术。镶嵌，特别是金属镶嵌，源自叙利亚的大马士革，在日本则利用于日本刀的护手制作，以及镜子或装饰品的制作。

如图3-3-1所示，镶嵌制程中，在布线基底材质的绝缘膜表面，形成布线图样的沟槽，并在上方以电镀形成相对较厚的铜膜后，再以CMP（化学机械研磨）将表面进行研磨，即能形成表面完全平坦、埋在沟槽构造内的铜布线。

很幸运的是，铜金属容易进行电镀成型。

经由这样的镶嵌制程，即能实现如图3-3-2所示，表面没有凹凸而平坦的多层布线构造。

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