功率器件(Power Device)是进行功率处理的器件。根据载流子的不同，功率器件可分为双极功率器件和单极功率器件。双极功率器件包括功率二极管(Power Diode)、电力晶体管(Giant Transistor, GTR)、晶闸管(Thyristor)、 栅极关断晶闸管( Gate Turn -Off Transistor, GTO)、 绝缘栅双极晶体管( Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT) 等;单极功率器件主要以双扩散晶体管( Double diffused MOSFET, DMOS)为代表。根据材料的不同，功率器件可分为硅基和宽禁带材料基(碳化硅(SiC) 和氮化镓(GaN) )两大类。这里仅简要介绍IGBT、DMOS和宽禁带器件三种。

IGBT器件是由双极晶体管( Bipolar Junction Transistor, BJT) 和金属-氧化物-半导体场效应晶体管( Metal-0xide- Silicon Field Effet Transistor, MOSFET)组成的复合全控制型电压驱动式器件，其特点为输入阻抗高、导通压降低，在600V以上中等电压系统中占主要市场。

DMOS器件是一种双扩散型器件，即在源端、漏端各掺杂两次，一次浓度大，一次浓度小。相比IGBT而言，DMOS的开关频率更高，主要分为垂直双扩散MOSFET (Vertical Duble-diffused MOSFET, VDMOS)和横向双扩散MOSFET(Lateral Double diffused MOSFET, LDMOS)两类。VDMOS 属于电压控制型器件，由于与CMOS器件的兼容性较差，使得其发展缓慢。而LDMOS与CMOS器件的兼容性较好，已广泛用于射频功率电路。随着技术的发展，已经可以实现三层扩散，所以现在LDMOS的英文全称常用Laterally Diffused MOS, VDMOS的英文全称常用Vertical Diffused MOS。

宽禁带材料SiC和GaN具有带隙宽、饱和漂移速度及临界击穿电场高的特点，是制造大功率、高频、高压、耐高温和抗辐射电子器件的理想材料。由于SiC单晶生长技术和GaN外延技术日渐完善，宽禁带功率器件的研制应用迅速发展。宽禁带材料功率器件主要用于分立器件，而自2009年以来，GaN驱动的集成技术在国际上成为热门。

20世纪80年代之前，双极工艺是制造功率器件的主流工艺，双极器件精度