高，但集成度低;相对而言，CMOS器件集成度高、功耗低、逻辑控制简单。因此，Bipolar-CMOS的兼容可互相取长补短。另外，DMOS 器件在没有直流驱动的情况下就能够提供大功率，又能较好地兼容CMOS工艺，且它的开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好和可靠性强的优势使其在高速开关中应用广泛。因此，BCD (Bipolar-CMOS DMOS) 技术应运而生。BCD技术在同一工艺平台中集成Bipolar器件、CMOS器件、DMOS器件和电阻器、电容器等。三种有源器件的优势，即双极器件的高精度、CMOS器件的高集成度和DMOS器件的高功率处理能力被BCD工艺充分结合，使得BCD工艺广泛应用。