射频功率放大器(Radio Frequency Power Amplifer, RF PA), 是指在一定失真范围内提高射频信号的功率水平的放大电路，直接影响着射频发射通道的性能。

射频功率放大器的主要性能指标如下。

(1)输出功率:射频功率放大器输出到负载的射频信号的总功率，单位通常为dBm。dBm是射频信号功率相对于1mW的对数值，换算关系是

(2)效率:射频功率放大器的一个关键指标，通常用两种方法来表征。一是漏极效率，即输出功率与电源功率的百分比，;二是功率附加效率(Power Added Efficiency, PAE)， 即射频功率放大器所提高的功率与电源功率的百分比，

(3)线性度:射频功率放大器产生的非线性失真同时表现在幅度和相位上，通常用1dB压缩点和三阶交调点来衡量线性度。

(4)稳定性:由S参数决定，当,而且=S11S22 -S12S21<1时，射频功率放大器就是稳定的。

射频功率放大器包括线性功率放大器和开关型功率放大器，其中线性功率放大器也称为传统功率放大器。

根据晶体管导通角的不同，线性功率放大器分为A类、B类、AB类和C类放大器，其中A类放大器的导通角为360°，效率较低，小于50%; B类放大器的导通角为180°，其效率比A类放大器高，但是线性度差，存在交越失真; AB类放大器的导通角介于180° ~ 360°,采用两管推挽工作，可以避免交越失真，线性度较好，效率也较高; C类放大器导通角小于180°， 效率比A类和B类放大器高。

开关型功率放大器是一种高效率的功率放大器 ，其晶体管工作在开关状态，可以分为D类、E类和F类放大器。理想情况下，开关导通时的压降为0，开关截止时的电阻为无穷大，理论效率可以达到100%。开关型功率放大器的失真较大，非线性失真严重制约了开关型功率放大器的应用，提高其线性度是当前的一个研究热点。

目前，射频功率放大器的设计与加工主要使用GaAs工艺、SiGe工艺和射频CMOS工艺3种工艺。GaAs工艺的射频功率放大器主要适用于高功率输出的应用，广泛应用于无线通信领域; SiGe 工艺与Si CMOS工艺兼容，有助于实现射频功率放大器与射频集成电路的集成;射频CMOS工艺可以实现更高的集成度，成本也更低，但是CMOS射频功率放大器的性能，与GaAs相比尚有一定差距，目前主要用于蓝牙、ZigBee 等。

同时，近年来GaN作为-种制造大功率射频功率放大器的新型材料，得到了越来越多的关注。