2012 年之后，国家领导层逐渐认识到“政策在发改委、科研在科技部、产业在工信部、资金归财政部”的格局，导致半导体行业政出多门、相互牵制、难以统筹等 现实困难，因此积极调整发展思路，设立集成电路产业领导小组、发布《集成电路产业推进刚要》、筹建大基金等举措，进一步自上而下的理顺了半导体行业发展框 架。在产业领导小组成立之后，各方面的政策、资金及配套资源得以集中，为半导 体行业的攻坚克难奠定良好的基础。

近年来国家层面发布的政策较多，其中最重要目标性政策有：

1、2012 年国务院主导，科技部印发“02专项”即《极大规模集成电路制造技术及 成套工艺》项目，也标志着集成电路成为国家级重点优先战略目标。“02 专项”核 心要点为开展极大规模集成电路制造装备、成套工艺和材料技术攻关，掌握制约产业发展的核心技术，形成自主知识产权；开发满足国家重大战略需求、具有市场竞争力的关键产品，批量进入生产线，改变制造装备、成套工艺和材料依赖进口的局 面。

 2、2014 年 6 月国务院颁布《国家集成电路产业发展推进纲要》。纲要明确提出，到2020 年，集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小，全行业销售收入年均 增速超过 20%，16/14nm 制造工艺实现规模量产，封装测试技术达到国际领先水平，关键装备和材料进入国际采购体系，基本建成技术先进、安全可靠的集成电路 产业体系。

3、2015 年发布国家 10 年战略计划《中国制造2025》。计划提出，2020 年中国芯 片自给率要达到 40%，2025 年要达到 70%。

4、2016 年，国务院印发《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划。规划提出， 到2020 年，战略性新兴产业增加值(含半导体产业)占国内生产总值比重达到15%。

2.中国半导体设备现状

半导体设备具备极高的门槛和壁垒，全球半导体设备主要被日美所垄断，核心设备如光刻、刻蚀、PVD、CVD、氧化/扩散等设备的 top3 市占率普遍在90%以上。目前光刻机、刻蚀、镀膜、量测、清洗、离子注入等核心设备的国产率普遍较低。经过多年培育，国产半导体设备已经取得较大进展，整体水平达到 28nm，并在 14nm 和7nm 实现了部分设备的突破。具体来讲，28nm 的刻蚀机、薄膜沉积设备、氧化扩散炉、清洗设备和离子注入机 已经实现量产；14nm 的硅/金属刻蚀机、薄膜沉积设备、单片退火设备和清洗设备 已经开发成功。8 英寸的 CMP 设备也已在客户端进行验证；7nm 的介质刻蚀机已 被中微半导体开发成功；上海微电子已经实现 90nm 光刻机的国产化。在中低端制程，国产化率有望得到显著提升，先进制程产线为保证产品良率，目前仍将以采购海外设备为主。