（图片出自：jbpress）

那么，为什么日本量产2纳米半导体是可笑至极呢？（虽然很难解释，但笔者还是要说明一下。）

所谓半导体的“微缩化”，指的是每一代际缩小约70%。如下图4所示，日本自45纳米以后就不再有进步。45纳米以后为32纳米、22纳米、16/14纳米、10纳米、7纳米、5纳米、3纳米、2纳米。（西川先生的资料中遗漏了32纳米和10纳米，笔者进行了补充。）

自45纳米（日本可以生产）到2纳米，共跨越了九个代际的微缩化，这究竟有多难呢？

首先，微缩化每发展一个代际，肯定会出现诸多问题，为解决这些问题，需要进行多次试错实验。在28纳米/22纳米之前，晶体管的形状为“平面型（Planner）”，16纳米以后为FinFET，2纳米以后为GAA（Gate-All-Around，全环绕栅极晶体管），之所以有这么大的变化，是因为不改变晶体管结构，无法实现人们期待的性能。此外，随着微缩化发展，出现的问题也是各式各样。

比方说，在2015年之前以为被视为“微缩化头号玩家（Top Runner）”美国英特尔在2016年无法顺利从14纳米过度到10纳米，在后来的五年里，10纳米的启动一直不顺利（如下图5）。去年（2021年）Patrick Gelsinger就任英特尔第八代CEO，并将10纳米命名为“Intel 7（i7）”、7纳米（采用了最先进的EUV曝光设备）改为“Intel 4（i4）”。如今英特尔正在为实现i4而努力。

图5：逻辑半导体和Foundry厂家的技术蓝图。

 （图片出自：jbpress）

TSMC和三星在同一时间（2019年）启动7纳米，后来，虽然仅仅能看到6纳米、5纳米、4纳米、3纳米等一系列数字的进步，但5纳米以后的良率很难提升，而且TSMC的3纳米采用了GAA构造，因此TSMC在3纳米代际陷入绝望，果断进军2纳米。

即使是独享最尖端技术的TSMC，虽然曾经每两年更替一个代际，但3纳米并未能按计划启动，耗费了两年半的时间，在2022年下半年，终于迎来了量产关键期。2纳米代际晶体管采用新型GAA，进入量产可能要花费两年半甚至三年的时间。因此，2纳米的量产时间最快在2025年、甚至2026年。

如果日本“自2025年开始量产2纳米”，那么，很有可能早于TSMC！从当下的45纳米，跨越九个代际，比TSMC早量产2纳米，这是多么异想天开的方案！

在2022年8月3日的日本经济新闻“Deep Insight”中，针对2纳米的难度，Common Data的中山淳史先生做了以下比喻：“Planner型是中学生、FinFET是高中生、GAA是大学生”。