EUV光学系统简图

（图源：lithography gets extreme）

EUV技术最明显的特点是曝光波长一下子降到13.5nm，用13.5nm波长的EUV取代193nm的DUV光源，在光刻精密图案方面更具优势，能够减少工艺步骤，提升良率，也能大幅提升光刻机的分辨率。

但也面临挑战，因为在如此短波长的光源下，几乎所有物质都有很强的吸收性，EUV技术的关键难点在于材料吸收，因为波长太短光子能量很高，基本上大部分材料都会很容易的吸收EUV光源，导致光源到达工作面时光强很弱，所以设计时，材料的选取是非常关键，光刻环境也要要求严格的真空环境。一种新光源光刻机的出现，必定是影响一整条产业链的格局，因为不同光源对掩膜材料，光刻胶材料，光学镜头等都独特的要求。

从市场进展来看，ASML在2006年推出了EUV光刻机的原型，2007年建造了10000平方米的无尘工作室，在2010年造出了第一台研发用样机NXE3100，到了2015年终于造出了可量产的样机，而在这研发过程中，英特尔、三星、台积电这些半导体大厂的也输了不少血。

2006年全球首台EUV光刻机原型

此后，ASML凭借EUV光刻技术，逐渐成为光刻机市场不可撼动的霸主。2012年，英特尔、台积电、三星等厂商纷纷注资入股ASML，以支持其EUV光刻技术的改进与升级，从而换取优先供货权。

2013年之后，为加速EUV技术的发展，ASML不断进行并购整合，陆续收购了光刻光源制造商Cymer、电子束测量工具供应商HMI、荷兰高科技公司Mapper以及Berliner Glas集团等。聚焦EUV光刻领域，ASML于二十余年内投资超60亿欧元，并于2020年实现了EUV光刻机大规模量产。

作为全球唯一一家能EUV光刻机的厂家，ASML自然获得了大量的订单。截至2022年第一季度，ASML已出货136个EUV系统，约7000万个晶圆已曝光。

ASML EUV系统销量（图源：ASML）

根据光刻机所用光源改进和工艺创新，光刻机经历了5代产品发展，每次改进和创新都显著提升了光刻机所能实现的最小工艺节点。

ASML光刻机发展历程

（图源：ASML）

第一代为接触接近式光刻机，曝光方式为接触接近式，使用光源分别为436nm的g-line和365nm的i-line，接触式光刻机由于掩模与光刻胶直接接触，所以易受污染，掩模版和基片容易受到损伤，掩模版寿命短。

第二代为接近式光刻机，使用光源也为436nm的g-line和365nm的i-line，曝光方式为掩模版与半导体基片之间为非紧密接触状态，掩模版不容易受到损伤，掩模版寿命长，但由于掩模版与基片之间有一定间隙，成像质量受到影响，分辨率下降。