尼康的衰落，始于157nm光源干刻法与193nm光源湿刻法的技术之争。也正是这次冒险的赌注，ASML彻底摆脱了以往的窘境。与此同时，英特尔倒向ASML使得尼康失去了挑战摩尔定律的勇气。凭借浸入式光刻技术，ASML于2007年以60%的市占率超越尼康，成为光刻市场的领导者。

对157nm来讲，2003年是个铭记于心的年份，5月份英特尔公司突然宣布放弃157nm技术，将继续使用193nm浸入式光刻技术进行65nm及45nm的制程，并继续拓展193nm浸入式光刻技术，使之能够适应更深层次的工艺需求，同时计划采用极紫外光（EUV）来制作22nm以下的制程。

英特尔的此举尤如重量级炸弹一样，因为实则上将157nm技术跳了过去。众所周知，彼时的英特尔是全球光刻设备最大的买主，其任何动作都将在全球半导体业界引起极大反响。而不采购157nm光刻相关设备，则意味着英特尔放弃了这个被称为传统意义上光学极限的光刻技术。

ITRS 2005路线图实际上已经把157nm光刻技术抛弃（图源：中关村在线）

到2010年，193nm液浸式光刻系统已能实现32nm制程产品，并在20nm以下节点发挥重要作用，浸没式光刻技术凭借展现出巨大优势，成为EUV之前能力最强且最成熟的技术。

光刻技术分水岭

（图源：西南电子）

作为ASML遇到的第一个“贵人”。台积电在技术、人才、资金方面给了ASML很大帮助。凭借台积电的“浸入式光刻技术”方案，ASML将光源波长一举从193nm缩短到134nm。此后，ASML开启了快速蚕食光刻机市场的时代。

在业界寻求突破193nm光刻瓶颈时，EUV也是其中一个方向，然而受限于当时的技术水平，这项技术一直没能实现。从1997年成立到2003年解散，EUV LLC联盟集中全产业链之力，推进了EUV光刻技术的研究进程。

在22nm节点之后，DUV已经很难再继续优化了。在研究了1990年代的几种预期技术之后，半导体行业逐渐达成共识，极紫外（EUV）波长的光刻技术是最好的前进之路，成为近年来英特尔、台积电、三星等芯片公司追捧的新宠。

由于157nm波长的光线不能穿透纯净水，无法和浸入技术结合。因此，准分子激光光源只发展到了ArF。通过浸没式光刻和双重光刻等工艺，第四代ArF光刻机最高可以实现22nm制程的芯片生产，但是在摩尔定律的推动下，半导体产业对于芯片制程的需求已经发展到 14nm、10nm，甚至7nm，ArF光刻机已无法满足这一需求，半导体产业将希望寄予第五代EUV光刻机。