到了1984年，尼康已经和GCA平起平坐，各享三成市占率。Ultratech占约一成，Eaton、P&E、佳能、日立等剩下几家每家都不到5%。

同年，飞利浦与ASM合资创建的ASML成立，受不到重视的ASML被迫在飞利浦大厦外面的木板简易房里工作。

在竞争与演进中，时间来到八十年代中期，半导体市场陷入大滑坡。导致一帮光刻机厂商都碰到严重的财务问题，其中，入不敷出的ASM卖身自保，同时从ASML撤资；同样受到影响的还有GCA和Prekin-Elmer，由于新产品开发停滞不前，这两家曾经的巨头先后于1988年和1990年被General Signal和SVG收购。

而彼时ASML还规模尚小，所遭损失不大，还可以按既有计划开发新产品，得以在乱世中伛偻前行。而1980年还占据大半壁江山的美国三雄，到80年代末地位完全被日本双雄取代。这时ASML还只有大约10%的市场占有率。

从另一个角度来看，光刻市场的变化也对应着光刻技术的变迁。

长期以来，摩尔定律被集成电路产业奉为圭臬。为了延续摩尔定律，光刻技术就需要每两年把曝光关键尺寸(CD)降低30%-50%。这就引出一个公式：CD=K1*λ/NA。从公式可以看出，曝光关键尺寸与波长、数值孔径以及制程因子三个参数有关。根据诉求，降低曝光关键尺寸，只需降低波长λ、增大数值孔径NA或降低制程因子K1。

其中，缩短波长是较为直接的手段。20世纪60年代到80年代中期的接触式光刻机、接近式光刻机和投影式光刻机主要采用汞灯光源，其光谱线分别为g线（436nm）、h线（405nm）和i线（365nm）。

随着技术演进，后续陆续开始使用248nm的KrF激光，进入1990年代，干式微影技术已经难以维系摩尔定律的演进，最终停滞在193nm波长的DUV光刻技术上，这就是著名的ArF准分子激光。

光刻机的光源波长被卡死在193nm，成为了摆在全产业面前的一道难关，也导致芯片制程在65/45nm技术节点上遇到了困难。

上世纪90年代后半期，大家都在寻找取代193nm光刻光源的技术，为了把193nm的光波“磨”细，大半个半导体业界都参与了进来，分成两队人马跃跃欲试：

尼康、佳能等公司主张用在前代技术的基础上，采用157nm波长光源，走稳健道路；新生的EUV LLC联盟则押注更激进的极紫外技术（EUV），用仅有十几纳米的极紫外光，刻10纳米以下的芯片制程。

但技术都已经发展到了这地步，不管哪一种方法做起来都不容易。