在读写速度上，根据三星早前推出的业界第一款通用快闪记忆体储存（Universal Flash Storage，UFS）4.0测试显示，搭配三星现有第七代176 层V-NAND 快闪记忆体（预计今年底、明年初开始量产第八代224 层V-NAND）与专属控制器，三星新推UFS 4.0 循序读取速度最高可达4,200Mbps（为UFS 3.1 读取速度2,100Mbps 的两倍快），循序写入速度达到2,800Mbps（比UFS 3.1 写入速度1,200Mbps 快上两倍多）。

不仅如此，UFS 4.0 在提供两倍效能的同时，其功耗还比UFS 3.1 低了46%，这说明了未来支援UFS 4.0 的智能手机，不但高效能，而且支援更久的手机电池续航力。UFS 4.0 的优势还体现在更迷你的尺寸上，UFS 3.1 体积为11.5×13×1mm，UFS 4.0 快闪记忆体的尺寸更小，最大只有11×13×1mm。通常手机元件愈小，除了对机构内的散热有所帮助外，对于手机内部元件布局设计的最佳化也有好处。而且UFS 3.1 最大容量只有512MB，UFS 4.0 最高支援1GB，这个大容量效益在5G时代里会更加有感。