启闳半导体科技(江苏)有限公

TsiHon Semicon Technology (JiangSu)Co.,LTD
服务热线:
17621381228
PW方块电阻的测试条件-----《集成电路制造工艺与工程应用》 温德通 编著
来源: | 作者:LiLi | 发布时间: 2024-11-27 | 121 次浏览 | 分享到:

图5-34所示为PW方块电阻的版图,图5-35所示为它的剖面图。PW方块电阻是通过DNW 隔离衬底(P-sub),如果没有DNW的隔离,这个PW 方块电阻会与 P-sub短路。

图5-36所示为PW方块电阻的电路连接图。PW方块电阻是三端器件,它的三个端口分别是电阻的两端和衬底(DNW),它们分别连到 PAD_P1、PAD_P2 和 PAD_B,WAT测试机器通过这三个端口把电压激励信号加载在电阻的两端和衬底,从而测得所需的电性特性参数数据。

PW方块电阻的 WAT参数是Rs_PW。

图5-37所示为测量Rs_PW 的示意图。测量PW 方块电阻 Rs_PW 的基本原理是在电阻的一端和衬底加载电压 DC电压1V,另一端接地,从而测得电流Ip,Rs_PW =(1/Ip)/(L/W),W和L分别是PW 方块电阻的宽度和长度。

影响方块电阻 Rs_PW的因素包括以下两方面:

1) PW 离子注入异常;

2) 离子注入损伤在退火过程中没有激活。