CMOS 工艺技术平台的方块电阻的测试结构是NW方块电阻、PW方块电阻、Poly 方块电阻、AA 方块电阻和金属方块电阻，它们的版图尺寸是依据工艺技术平台的设计规则设计的。
目前半导体业界通用的方块电阻的测试方法有三种：一种是电阻条图形；一种是范德堡图形；一种是开尔文图形。本书仅仅以电阻条图形测量方法为例去介绍方块电阻的测试原理和方法。
方块电阻是电路设计的重要组成部分，方块电阻的准确性严重影响电路的性能，所以方块电阻在整个工艺流程里也是非常关键，芯片代工厂通过 WAT参数方块电阻 Rs监测它们。
图5-30所示为NW方块电阻的版图，图5-31所示为它的剖面图，图5-32所示为它的电路连接图。NW方块电阻是三端器件，它的三个端口分别是电阻的两端和衬底（P-sub），它们分别连到 PAD_N1、PAD_N2 和 PAD_B,WAT测试机器通过这三个端口把电压激励信号加载在电阻的两端和衬底，从而测得所需的电性特性参数数据。
NW方块电阻的 WAT参数是Rs_NW。
图5-33所示为测量Rs_NW的示意图。测量NW方块电阻Rs_NW的基本原理是在电阻的一端加载DC电压1V，另一端和衬底接地，从而测得电流In ，Rs_NW=（1/In）/（L/W），W和L分别是 NW方块电阻的宽度和长度。
影响方块电阻 Rs_NW的因素包括以下两方面：
1） NW离子注入异常；
2）离子注入损伤在退火过程中没有激活。
