FinFET 的工艺技术与平面型 MOSFET的工艺技术是不兼容的，FinFET前段工艺制程采用了立体结构，同时包括 HKMC技术和应变硅技术，后段依然是大马士革结构的铜制程。

FinFET 工艺的难点是形成Fin 的形状，Fin 的尺寸是最小栅长的0.67倍左右，对于22nm 的工艺技术，Fin 的宽度是14.67nm，它远小于最精密浸入式光刻机所能制造的最小尺寸。Fin的有源区并不是通过光刻形成的，而是通过 SADP（Self-Aligned Double Patterning）工艺技术形成的，它只需要一次光刻步骤，然后通过类似栅极侧墙的辅助工艺制造出Fin 的形状。

图2-58所示为SADP工艺流程图。首先淀积一层辅助层多晶硅或者Si₃N₄，然后通过一道光刻和刻蚀形成一个类似栅极的结构，通常称它为心轴（mandral），再淀积一层氧化硅作为硬掩膜版，通过控制氧化硅的厚度可以控制 Fin 的宽度W_fin，利用干法刻蚀形成类似栅极侧墙的形状，去除辅助层，剩下的形状就是形成超薄的 Fin的硬掩膜版，再利用干法刻蚀形成超薄的 Fin。

图2-59所示FinFET工艺技术流程图，只是简单描述了前段工艺流程。

FinFET工艺制程技术采用外延生长技术嵌入 SiGe 和 SiC 应变材料，并进行源和漏掺杂，同时使源和漏有源区凸起增加有源区的厚度和表面积，从而可以形成更厚的 Salicide，减小22nm 工艺制程技术的源和漏的接触电阻，应变技术可以提高器件的速度，改善 Fin-FET 的性能。图2-60所示为FinFET沿栅方向的剖面图。左边是 NMOS，右边是PMOS，它们都是通过多条很薄的指状的Fin 有源区并联的方式增大器件的宽度，从而增大 FinFET驱动能力。