注入，需要选择特定的电极材料和修饰层，以更改金属的功函数，实现良好的能级匹配。电极材料一般用Au作为源漏电极，ITO 或AI作为栅电极，此外还有PEDOT :PSS、石墨烯、Sn02,和ZnO类透明电极材料。

柔性薄膜晶体管与传统半导体器件的最大区别在于其柔性和延展性，这就对材料的力学性能提出了更高的要求，也为未来柔性薄膜晶体管的发展指明了方向。研究的挑战主要包含如下3个方面。

(1)半导体材料方面:合成更加稳定的n型有机半导体材料，从而实现高性能互补逻辑电路。

(2)柔性衬底方面:加快耐腐蚀、耐高温、透明度高、成本低且柔韧性好的衬底材料的研究，以及低温柔性衬底加工技术的实现。

(3)在高介电常数的绝缘层材料寻找方面，要进一步兼顾可低温制备、低成本的要求，提高器件的性能。

图10-59所示为柔性薄膜晶体管阵列。